|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота
М. М. Соболев, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней гетероструктуры Au–$n$-Si : Au–Si–$p$-Si на основе композитного слоя наночастиц Au и Si. При температуре 300 K структура проявляет свойства транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером при отключенной базе и с эмиттерным барьером Шоттки между точечным контактом Au и слоем $n$–(Si : Au). В этом слое наночастицы образуют конечные кластеры, где проводимость будет прыжковой, при этом в области точечного контакта Au наблюдается аккумуляция заряда. При температуре измерения ниже 180 K в результате эффекта перколяции система из фазы конечного кластера переходит в фазу бесконечного кластера, проявляющего металлические свойства в латеральной плоскости гетероструктуры, которая превращается в $p$–$n$-диод.
Ключевые слова:
$C$–$V$-характеристика, DLTS, композитные наночастицы, золото, кремний.
Поступила в редакцию: 31.05.2019 Исправленный вариант: 10.06.2019 Принята в печать: 10.06.2019
Образец цитирования:
М. М. Соболев, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1431–1436; Semiconductors, 53:10 (2019), 1393–1397
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5392 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1431
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 10 |
|