|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. А. Грудинкин, Н. А. Феоктистов, К. В. Богданов, А. В. Баранов, В. Г. Голубев, “Фотолюминесценция центров окраски германий-вакансия в полученных химическим газофазным осаждением алмазных частицах”, Физика твердого тела, 62:5 (2020), 807–813   ; S. A. Grudinkin, N. A. Feoktistov, K. V. Bogdanov, A. V. Baranov, V. G. Golubev, “Photoluminescence of germanium-vacancy color centers in diamond particles obtained by chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 62:5 (2020), 919–925 |
11
|
|
2019 |
| 2. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 587–593 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Two-stage conversion of silicon to nanostructured carbon by the method of coordinated atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 456–463 |
6
|
| 3. |
Д. А. Курдюков, Н. А. Феоктистов, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1068–1073 ; D. A. Kurdyukov, N. A. Feoktistov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse submicrometer spherical nanoporous silicon particles”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1048–1053 |
3
|
| 4. |
А. В. Медведев, А. А. Дукин, Н. А. Феоктистов, В. Г. Голубев, “Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 917–921 ; A. V. Medvedev, A. A. Dukin, N. A. Feoktistov, V. G. Golubev, “Spherical distributed Bragg reflector with an omnidirectional stop band in the near-IR spectral range”, Semiconductors, 53:7 (2019), 901–905 |
4
|
|
2017 |
| 5. |
С. А. Грудинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2403–2408 ; S. A. Grudinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2430–2435 |
8
|
| 6. |
В. Г. Голубев, С. А. Грудинкин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Н. А. Феоктистов, “Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2382–2386 ; V. G. Golubev, S. A. Grudinkin, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, N. A. Feoktistov, “New luminescence lines in nanodiamonds obtained by chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2407–2412 |
2
|
| 7. |
А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658 ; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 |
10
|
| 8. |
А. В. Медведев, А. А. Дукин, Н. А. Феоктистов, В. Г. Голубев, “Сферический распределенный брэгговский отражатель на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H и $a$-SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 35–42 ; A. V. Medvedev, A. A. Dukin, N. A. Feoktistov, V. G. Golubev, “A spherical distributed Bragg reflector based on $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H and $a$-SiO$_{2}$”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 885–888 |
6
|
|
2016 |
| 9. |
С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1812–1817 ; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 |
23
|
| 10. |
А. В. Медведев, А. А. Дукин, Н. А. Феоктистов, В. Г. Голубев, “Люминесцентный асимметричный планарный волновод на основе аморфного карбида кремния с поляризованным излучением в модах утечки”, ЖТФ, 86:5 (2016), 118–123 ; A. V. Medvedev, A. A. Dukin, N. A. Feoktistov, V. G. Golubev, “Asymmetric planar luminescent waveguide based on amorphous silicon carbide with polarized radiation in leaky modes”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 756–761 |
1
|
|
1990 |
| 11. |
С. Б. Алдабергенова, В. Г. Карпов, К. В. Коугия, А. Б. Певцов, В. Н. Соловьев, Н. А. Феоктистов, “Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы $a$-Si : H”, Физика твердого тела, 32:12 (1990), 3599–3612  |
|
Обратная связь: