Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 917–921
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47867.9077
(Mi phts5455)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра

А. В. Медведев, А. А. Дукин, Н. А. Феоктистов, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методом плазмохимического газофазного осаждения созданы сферические распределенные брэгговские отражатели (СРБО) на ближний инфракрасный диапазон спектра. СРБО состоят из чередующихся четвертьволновых слоев $a$-Si:H и $a$-SiO$_{2}$, нанесенных на стеклянную или кварцевую микросферу диаметром 500 мкм, легированную ионами эрбия. Измерены спектры отражения и пропускания от СРБО в разных точках его поверхности. Зарегистрирована широкая полоса с высоким коэффициентом отражения и малым коэффициентом пропускания – стоп-зона. Продемонстрировано, что для разных радиальных направлений из центра микросферы стоп-зоны перекрываются, образуя всенаправленную стоп-зону. Исследовано влияние всенаправленной стоп-зоны на спонтанную эмиссию ионов эрбия (1.53 мкм) из кварцевой микросферы. Показано, что всенаправленная стоп-зона подавляет интенсивность спонтанной эмиссии более чем на порядок величины.
Ключевые слова: сферический распределенный брэгговский отражатель, всенаправленная стоп-зона, ближний инфракрасный диапазон, аморфный кремний, эрбий, подавление спонтанной эмиссии, длина волны телекоммуникации 1.5 мкм.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0040-2019-0012
Работа выполнена в рамках государственного задания по теме № 0040-2019-0012.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 901–905
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Медведев, А. А. Дукин, Н. А. Феоктистов, В. Г. Голубев, “Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 917–921; Semiconductors, 53:7 (2019), 901–905
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MedDukFeo19}
\by А.~В.~Медведев, А.~А.~Дукин, Н.~А.~Феоктистов, В.~Г.~Голубев
\paper Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 917--921
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5455}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47867.9077}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133315}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 901--905
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5455
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p917
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024