|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492   ; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476 |
|
2018 |
| 2. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “Новый механизм реализации омических контактов”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 138–142 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On a new mechanism for the realization of ohmic contacts”, Semiconductors, 52:1 (2018), 131–135 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “К вопросу об омичности контактов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 777–784 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On the ohmicity of Schottky contacts”, Semiconductors, 50:6 (2016), 761–768 |
5
|
| 4. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 |
1
|
|
1990 |
| 5. |
П. И. Баранский, А. Е. Беляев, С. М. Комиренко, Н. В. Шевченко, “Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов”, Физика твердого тела, 32:7 (1990), 2159–2161  |
|
Обратная связь: