Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K

Измерено удельное контактное сопротивление $\rho_{c}$ омических контактов на основе InP и GaAs в диапазоне температур 4.2–300 K. Получены немонотонные температурные зависимости $\rho_{c}$ с минимумом при $T$ = 50 K для InP и $T$ = 150 K для GaAs. Для контактов на основе GaAs немонотонные зависимости $\rho_{c}(T)$ получены впервые. Показано, что экспериментальные зависимости $\rho_{c}(T)$ объясняются в рамках механизма прохождения тока через металлические шунты, проникающие в глубь полупроводника, с учетом вымораживания электронов при гелиевых температурах. Омичность контактов обеспечивается благодаря ограничению электронного тока диффузионным подводом при реализации обогащающих изгибов зон на границе полупроводника с металлом у торца шунта.