|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, Сы Чжунбинь, В. П. Попов, “Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 217–223   ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, Si. Zh, V. P. Popov, “Diffusion of In atoms in SiO$_{2}$ films implanted with As$^{+}$ ions”, Semiconductors, 55:3 (2021), 289–295 |
|
2019 |
| 2. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов, “Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 502–507 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. P. Popov, “Raman scattering in InSb spherical nanocrystals ion-synthesized in silicon-oxide films”, Semiconductors, 53:4 (2019), 493–498 |
9
|
| 3. |
И. Е. Тысченко, Э. Д. Жанаев, В. П. Попов, “Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 65–69 ; I. E. Tyschenko, E. D. Zhanaev, V. P. Popov, “Bonding energy of silicon and sapphire wafers at elevated temperatures of joining”, Semiconductors, 53:1 (2019), 60–64 |
3
|
|
2018 |
| 4. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596 ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
| 5. |
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин, “Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1220–1227 ; V. P. Popov, V. A. Antonov, V. I. Vdovin, “Positive charge in SOS heterostructures with interlayer silicon oxide”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1341–1348 |
10
|
|
2016 |
| 6. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
15
|
|
1986 |
| 7. |
Р. Гретцшель, А. В. Двуреченский, В. П. Попов, “Фазовый переход кристалл–аморфное состояние в сильно легированном кремнии”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3134–3136  |
|
Обратная связь: