|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина, “Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 540–549   ; E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. V. Nashchekin, A. V. Parfeneva, D. A. Lozhkina, M. V. Tomkovich, Yu. A. Kukushkina, “Formation of porous silicon by nanopowder sintering”, Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539 |
3
|
| 2. |
Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, В. Б. Воронков, “Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 29–32 ; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 |
7
|
|
2017 |
| 3. |
Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1213–1222 ; E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1164–1173 |
1
|
| 4. |
Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1202–1212 ; E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “High-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1153–1163 |
5
|
| 5. |
Н. Е. Преображенский, Е. В. Астрова, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, А. М. Румянцев, В. В. Жданов, “Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе $p$-Si с самоорганизующимися макропорами”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 79–88 ; N. E. Preobrazhenskii, E. V. Astrova, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Anodes for Li-ion batteries based on $p$-Si with self-organized macropores”, Semiconductors, 51:1 (2017), 78–87 |
10
|
|
1992 |
| 6. |
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. Д. Ременюк, “О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном
протонами”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1507–1509 |
| 7. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, Ю. Н. Далуда, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса
полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 18:14 (1992), 51–56  |
|
1991 |
| 8. |
В. Б. Воронков, А. С. Иванов, К. Ф. Комаровских, Д. Г. Летенко, А. Б. Федорцов, Ю. В. Чуркин, “Контроль объемного времени жизни и скорости поверхностной
рекомбинации носителей заряда в полупроводниках методом инфракрасного
лазерного зондирования”, ЖТФ, 61:2 (1991), 104–108 |
| 9. |
В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при
прямом сращивании кремниевых пластин”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 208–216 |
|
1990 |
| 10. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных
дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога
дефектообразования”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1213–1215 |
| 11. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях
необеспыленной воздушной среды”, Письма в ЖТФ, 16:17 (1990), 61–65 |
| 12. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Прямая ВАХ диодов, полученных методом
прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 6–9 |
| 13. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, И. Н. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 1–4 |
|
1989 |
| 14. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, А. Д. Ремешок, В. Н. Ткаченко, М. Г. Толстобров, “Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии,
облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 753–756 |
| 15. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых
пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 59–63 |
|
1988 |
| 16. |
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, И. М. Котина, К. Ш. Кушашвили, “Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых
$p{-}n$ диодах с примесью лития”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1436–1439 |
| 17. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, Е. Штейнбайс, К. Штэнбек, В. Экке, “Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных
на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов
методом катодно-реактивного распыления”, ЖТФ, 58:1 (1988), 132–135 |
| 18. |
Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя
выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 972–975 |
|
1987 |
| 19. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Г. М. Гусинский, В. А. Козлов, В. О. Найденов, “Оптимизация частотных и статических характеристик силовых
полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной
рекомбинации в базовых областях”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1925–1929 |
| 20. |
Н. В. Боровикова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, “О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного
кремния на реакторе РБМК-1000”, ЖТФ, 57:6 (1987), 1127–1129 |
| 21. |
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, А. Д. Ременюк, М. Г. Толстобров, “Об энергетических уровнях дивакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 140–144 |
|
1986 |
| 22. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК)
Получение, свойства”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1174–1179 |
| 23. |
Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2122–2125 |
| 24. |
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, М. Л. Кожух, К. Ш. Кушашвили, М. Г. Толстобров, “О природе рекомбинационных центров в $p$-кремнии, облученном
$\gamma$-квантами”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1100–1102 |
|
1985 |
| 25. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый
импульсом света”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1570–1575 |
| 26. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, Б. М. Урунбаев, “Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1709–1711 |
|
1984 |
| 27. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. В. Добровенский, А. И. Шагун, “Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния
для мощных полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 54:5 (1984), 917–928 |
| 28. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Ю. А. Карпов, Б. М. Туровский, “Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ
при выращивании методом Чохральского”, ЖТФ, 54:1 (1984), 207–208 |
| 29. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы
на основе нейтронно-легированного
кремния, содержащего редкоземельные элементы”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 880–882 |
|
1983 |
| 30. |
В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, В. М. Рожков, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном
$p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1344–1347 |
|
Обратная связь: