|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1195–1202   |
2
|
| 2. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1027–1033 |
3
|
| 3. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 103–111 ; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 |
13
|
|
2020 |
| 4. |
Н. Т. Баграев, П. А. Головин, Л. Е. Клячкин, А. М. Mаляренко, А. П. Преснухина, Н. И. Руль, А. С. Реуков, В. С. Хромов, “Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1663–1671 ; N. T. Bagraev, P. A. Golovin, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. P. Presnukhina, N. I. Rul', A. S. Reukov, V. S. Khromov, “Terahertz radiation sources and detectors based on optical microcavities embedded in the edge channels of silicon nanosandwiches”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1591–1599 |
1
|
| 5. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, К. Б. Таранец, “Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине”, ЖТФ, 90:9 (2020), 1502–1505 |
|
2018 |
| 6. |
Maxim A. Fomin, Andrey L. Chernev, Nicolay T. Bagraev, Leonid E. Klyachkin, Anton K. Emelyanov, Michael V. Dubina, “Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 512 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 612–614 |
| 7. |
N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. S. Khromov, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, T. V. Matveev, V. V. Romanov, N. I. Rul, K. B. Taranets, “High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 473 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 478–484 |
2
|
|
2016 |
| 8. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1353–1357 ; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Dielectric properties of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1333–1337 |
3
|
| 9. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1230–1237 ; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1208–1215 |
5
|
| 10. |
N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, “Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1047–1054 ; Semiconductors, 50:8 (2016), 1025–1033 |
20
|
| 11. |
N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, T. V. L'vova, A. M. Malyarenko, “Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 474–484 ; Semiconductors, 50:4 (2016), 466–477 |
1
|
|
1992 |
| 12. |
Р. М. Амальская, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1004–1007 |
|
1991 |
| 13. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1613–1617 |
| 14. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 644–654 |
| 15. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе”, Письма в ЖТФ, 17:2 (1991), 42–46  |
|
1990 |
| 16. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии
$n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1563–1573 |
| 17. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии
$n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1557–1562 |
| 18. |
Р. Р. Варданян, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом
цилиндрической формы”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 485–487 |
|
1987 |
| 19. |
Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Л. М. Чистякова, “Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух —
SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной
области 550$-$950 нм”, ЖТФ, 57:4 (1987), 823–826 |
| 20. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Дийков, Л. Е. Клячкин, В. А. Машков, В. Л. Суханов, “Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1025–1029 |
|
1985 |
| 21. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Н. В. Забродская, “Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$
(${0\leqslant x\leqslant 2}$)
на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2191–2195 |
| 22. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт, “Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP
и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 668–673 |
| 23. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 675–679 |
| 24. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 354–358 |
|
1983 |
| 25. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик
$p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический
кремний»
(ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2232 ; L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, A. V. Nalivkin, V. L. Sukhanov, V. V. Tuchkevich, “Correction”, Semiconductors, 17:12 (1983), 1431 |
| 26. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов
поликристаллический кремний–монокристаллический кремний”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1648–1651 |
|
Обратная связь: