Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Вольфсон А А

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 8
Научных статей: 8

Статистика просмотров:
Эта страница:39
Страницы публикаций:310
Полные тексты:119

https://www.mathnet.ru/rus/person161676
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. Е. Н. Мохов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, “Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2298–2302  mathnet  elib; E. N. Mokhov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, “Growing bulk aluminum nitride and gallium nitride crystals by the sublimation sandwich method”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2286–2290 1
2. И. Д. Бреев, А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1593–1596  mathnet  elib; I. D. Breev, A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, E. N. Mokhov, “Raman scattering in AlN crystals grown by sublimation on SiC и AlN seeds”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1558–1561 9
2018
3. А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов, “Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1104–1106  mathnet  elib; A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, E. N. Mokhov, “Raman spectra of thick epitaxial GaN layers formed on SiC by the sublimation sandwich method”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1225–1227 2
1992
4. Ю. А. Водаков, А. А. Вольфсон, Г. В. Зарицкий, Е. Н. Мохов, А. Г. Остроумов, А. Д. Роенков, В. В. Семенов, В. И. Соколов, В. А. Сыралев, В. Е. Удальцов, “Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110  mathnet
1989
5. В. И. Санкин, А. В. Наумов, А. А. Вольфсон, М. Г. Рамм, Л. М. Смеркло, А. В. Суворов, “Инжекционно-пролетная структура на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  43–46  mathnet  isi
1987
6. Ю. А. Водаков, А. А. Вольфсон, А. А. Мальцев, “Катодоусиление в p${-}$n переходах на карбиде кремния”, ЖТФ, 57:12 (1987),  2405–2407  mathnet  isi
7. Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, А. А. Вольфсон, А. С. Трегубова, И. Л. Шульпина, “Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645  mathnet  isi
1986
8. Р. Г. Веречикова, Ю. А. Водаков, А. А. Вольфсон, А. А. Мальцев, “Катодоусиление в барьерах Шоттки на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1464–1468  mathnet  isi
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024