|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков, “Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 32–35   ; A. L. Zakhgeim, A. E. Ivanov, A. E. Chernyakov, “Features of operation of high-power AlInGaN LEDs at high pulse currents”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 834–837 |
3
|
|
2020 |
| 2. |
Н. М. Шмидт, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, “Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 45–48 ; N. M. Shmidt, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, N. А. Talnishnikh, A. L. Zakhgeim, “Temperature-dependent decrease in efficiency in power blue InGaN/GaN LEDs”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1253–1256 |
3
|
|
2017 |
| 3. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
1986 |
| 4. |
А. А. Мак, В. И. Устюгов, М. М. Xалеев, А. Л. Закгейм, В. М. Марахонов, “Амплитудные флуктуации непрерывного АИГ: $Nd$-лазера со светодиодной накачкой”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1258–1263  |
|
Обратная связь: