Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 16, страницы 32–35
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795 (Mi pjtf4708) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах

А. Л. Закгеймa, А. Е. Ивановab, А. Е. Черняковa

a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
PDF полного текста (158 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795
Аннотация: Исследованы токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, в том числе их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности, AlInGaN-светодиодов “вертикальной” конструкции в широком диапазоне рабочих токов вплоть до $\sim$70 А. Установлено, что начиная с определенного уровня возбуждения некорректно использовать представление о средней плотности тока при анализе падения эффективности. Главным фактором снижения внутреннего квантового выхода и коэффициента вывода излучения, ограничивающим энергетические возможности светодиода, становится эффект шнурования (“current crowding”) тока к контактам.
Ключевые слова: AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, ближнее поле излучения.
Поступила в редакцию: 31.03.2021
Исправленный вариант: 30.04.2021
Принята в печать: 11.05.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 11, Pages 834–837
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021080290
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков, “Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 32–35; Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 834–837
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakIvaChe21}
\by А.~Л.~Закгейм, А.~Е.~Иванов, А.~Е.~Черняков
\paper Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 16
\pages 32--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4708}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46323025}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 11
\pages 834--837
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021080290}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4708
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i16/p32
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024