|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1195–1202   |
2
|
| 2. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1027–1033 |
3
|
| 3. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 103–111 ; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 |
13
|
|
2020 |
| 4. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, К. Б. Таранец, “Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине”, ЖТФ, 90:9 (2020), 1502–1505 |
|
2016 |
| 5. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1353–1357 ; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Dielectric properties of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1333–1337 |
3
|
| 6. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1230–1237 ; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1208–1215 |
5
|
| 7. |
N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, “Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1047–1054 ; Semiconductors, 50:8 (2016), 1025–1033 |
20
|
|
1991 |
| 8. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 644–654 |
|
1990 |
| 9. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии
$n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1563–1573 |
| 10. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии
$n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1557–1562 |
|
1988 |
| 11. |
Л. С. Берман, А. М. Маляренко, А. Д. Ременюк, В. Л. Суханов, М. Г. Толстобров, “Распределение радиационных дефектов и физическая природа
«аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных
$\alpha$-частицами”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 844–848 |
|
1987 |
| 12. |
Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Л. М. Чистякова, “Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух —
SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной
области 550$-$950 нм”, ЖТФ, 57:4 (1987), 823–826  |
| 13. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую
способность детекторов короткопробежных частиц”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1883–1887 |
| 14. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Ермин, А. М. Маляренко, Л. С. Медведев, Н. В. Строкан, В. Л. Суханов, “Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1394–1399 |
| 15. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 565–569 |
|
1986 |
| 16. |
В. К. Еремин, Е. М. Вербицкая, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, А. М. Маляренко, “Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми
планарными детекторами”, ЖТФ, 56:10 (1986), 1987–1989 |
| 17. |
Е. А. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1254–1258 |
|
1985 |
| 18. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Н. В. Забродская, “Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$
(${0\leqslant x\leqslant 2}$)
на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2191–2195 |
| 19. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 675–679 |
| 20. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 354–358 |
|
1983 |
| 21. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик
$p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический
кремний»
(ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2232 ; L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, A. V. Nalivkin, V. L. Sukhanov, V. V. Tuchkevich, “Correction”, Semiconductors, 17:12 (1983), 1431 |
| 22. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов
поликристаллический кремний–монокристаллический кремний”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1648–1651 |
|
Обратная связь: