|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492   ; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476 |
|
2018 |
| 2. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “Новый механизм реализации омических контактов”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 138–142 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On a new mechanism for the realization of ohmic contacts”, Semiconductors, 52:1 (2018), 131–135 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “К вопросу об омичности контактов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 777–784 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On the ohmicity of Schottky contacts”, Semiconductors, 50:6 (2016), 761–768 |
5
|
| 4. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 |
1
|
|
1992 |
| 5. |
Ю. Бреза, О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. А. Наумовец, Б. А. Нестеренко, Ю. А. Тхорик, М. Ю. Филатов, “Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных
структурах Pt$-$GaAs”, ЖТФ, 62:8 (1992), 88–94  |
| 6. |
В. И. Вдовин, С. А. Груша, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. А. Наумовец, Л. С. Xазан, Ю. А. Тхорик, “Упорядоченная латеральная неоднородность переходного слоя в системе
AuGe$-$GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:16 (1992), 10–13 |
|
1988 |
| 7. |
Р. В. Конакова, Ю. С. Мельникова, Е. В. Моздор, В. И. Файнберг, “Пробой кремниевых $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодов”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1754–1758 |
|
1987 |
| 8. |
А. М. Евстигнеев, П. А. Генцар, С. А. Груша, Р. В. Конакова, А. Н. Красико, О. В. Снитко, Ю. А. Тхорик, “Столкновительное уширение оптических спектров и его связь
с подвижностью”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1138–1141 |
|
1986 |
| 9. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, О. И. Маева, “Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию
в полупроводниковых структурах на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1640–1646 |
| 10. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, “Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 326–329 |
| 11. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, М. Дубовински, Р. В. Конакова, Д. В. Корбутяк, Е. Г. Лашкевич, Ю. А. Тхорик, Я. Червенак, “Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию
в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 322–325 |
|
1985 |
| 12. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, С. А. Груша, А. М. Евстигнеев, Н. А. Клебанова, А. Н. Красико, К. А. Исмаилов, И. К. Синищук, М. Е. Лисогорский, “Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей
радиации”, ЖТФ, 55:10 (1985), 1977–1982 |
| 13. |
А. М. Евстигнеев, П. А. Генцар, С. А. Груша, Р. В. Конакова, А. Н. Красико, О. В. Снитко, “Эффект заполнения примесных уровней в спектрах
поверхностно-барьерного электроотражения GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 678–681 |
|
1984 |
| 14. |
О. Ю. Борковская, Н. Д. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, “Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного
гетерирования”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1885–1887 |
| 15. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик, “К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов
Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 402–407 |
|
1983 |
| 16. |
Р. В. Конакова, Ю. А. Тхорик, А. М. Евстигнеев, В. И. Файнберг, Т. М. Хакимов, П. Кордош, М. Морвиц, Я. Червенак, “Электрические характеристики
термо- и радиационно-стойких лавинных
диодов на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1575–1577 |
| 17. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик, М. Ю. Филатов, В. И. Шаховцов, “Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1349–1351 |
|
Обратная связь: