|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222   |
2
|
|
2020 |
| 2. |
Н. С. Потапович, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, “Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2118–2122 ; N. S. Potapovich, N. Yu. Daviduk, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, “An investigation of the influence of secondary optical elements on the output parameters of photovoltaic modules”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2026–2030 |
2
|
| 3. |
Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, А. В. Малевская, В. М. Андреев, “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 11–13 ; D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V. M. Andreev, “Control system of Sun-tracking accuracy for concentration photovoltaic installations”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 523–525 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28 ; A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, D. A. Malevskii, V. R. Larionov, M. Z. Shvarts, “High-efficiency conversion of high-power-density laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26 |
14
|
|
1992 |
| 5. |
А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом
жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1666–1668 |
|
1991 |
| 6. |
В. М. Андреев, А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные
($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991), 1–5  |
|
1990 |
| 7. |
В. М. Андреев, B. C. Калиновский, В. Р. Ларионов, М. М. Миланова, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для
сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 56–59 |
| 8. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, A. M. Минтаиров, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Е. Смекалин, В. П. Хвостиков, “Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах
с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 7–12 |
|
1989 |
| 9. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические свойства
AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким
«широкозонным окном»”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 597–600 |
| 10. |
Д. М. Бутусов, Г. Г. Гоцадзе, В. Р. Ларионов, Б. С. Рывкин, Е. М. Танклевская, Ф. Н. Тимофеев, “Быстродействующий $p{-}i{-}n$
GaAs/AlGaAs фотоприемник, работающий в вентильном режиме”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989), 88–93 |
|
1988 |
| 11. |
В. М. Андреев, А. А. Алаев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур”, ЖТФ, 58:9 (1988), 1789–1792 |
| 12. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные низкопороговые
AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной
эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1775–1779 |
| 13. |
Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер, “Электропоглощение при волноводном
прохождении света через двойную
гетероструктуру AlGaAs
с квантоворазмерным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1548–1552 |
| 14. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, И. А. Мокина, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые
($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K)
полосковые квантоворазмерные
AlGaAs-гетеролазеры, полученные
методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1537–1540 |
| 15. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å)
поверхностными AlGaAs-слоями,
полученными методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1429–1433 |
| 16. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, К. И. Вакарельска, Ю. М. Задиранов, В. Р. Ларионов, А. В. Никитин, “Тонкопленочные многопроходные
AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 193–197 |
| 17. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176 |
| 18. |
В. М. Андреев, М. Б. Каган, B. C. Калиновский, Л. А. Рассадин, В. Р. Ларионов, Т. А. Нуллер, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, “Инжекционный отжиг дефектов
AlGaAs-структур солнечных элементов
в процессе радиационного облучения”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 121–125 |
| 19. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, А. В. Никитин, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, “«Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы”, Письма в ЖТФ, 14:1 (1988), 76–79 |
|
1987 |
| 20. |
Е. А. Аврутин, Д. М. Бутусов, Г. Г. Гоцадзе, В. Р. Ларионов, М. И. Неменов, Б. С. Рывкин, “Интегрально-оптический насыщающийся поглотитель на основе эффекта
Келдыша–Франца”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 900–903 |
| 21. |
Д. М. Бутусов, Г. Г. Гоцадзе, В. Р. Ларионов, Б. С. Рывкин, “Узкополосная спектральная фоточувствительность при электропоглощении света в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 13:23 (1987), 1414–1416 |
| 22. |
Д. М. Бутусов, Г. Г. Гоцадзе, В. Р. Ларионов, Б. С. Рывкин, “Колебания фототока при электропоглощении света в вентильном фотоэлементе”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 811–816 |
|
1986 |
| 23. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, О. О. Ивентьева, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, “Низкопороговые (${j_{\text{п}}=
230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 381–383 |
| 24. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
|
1984 |
| 25. |
А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Каскадные
Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 121–125 |
|
1983 |
| 26. |
X. К. Арипов, Н. С. Королева, В. Р. Ларионов, Т. А. Нуллер, В. Д. Румянцев, “Электролюминесцентные исследования солнечных
$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными
параметрами”, ЖТФ, 53:2 (1983), 329–332 |
| 27. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs
солнечные фотоэлементы с КПД
19% (AM 0)
и 24% (AM 1.5)”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1251–1254 |
| 28. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, М. Б. Каган, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs
солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 9:2 (1983), 102–104 |
|
Обратная связь: