Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1218–1222
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51709.9711 (Mi phts4920) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1544 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51709.9711
Аннотация: Разработаны и исследованы инфракрасные (850 нм) светодиоды на основе AlGaAs/Ga(In)As-гетероструктур, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, включающие множественные InGaAs квантовые ямы в активной области, и двойной оптический отражатель, включающий брэгговскую многослойную Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As-гетероструктуру и зеркальный слой серебра. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью EQE = 37.5% при плотности тока $>$10 А/см$^{2}$.
Ключевые слова: инфракрасный светодиод, AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, брэгговский отражатель, квантовые ямы InGaAs.
Поступила в редакцию: 08.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKalMin21}
\by А.~В.~Малевская, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, Р.~А.~Салий, Д.~А.~Малевский, М.~В.~Нахимович, В.~Р.~Ларионов, П.~В.~Покровский, М.~З.~Шварц, В.~М.~Андреев
\paper Высокоэффективные (EQE = 37.5\%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1218--1222
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4920}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51709.9711}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667394}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4920
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1218
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:103
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024