|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518   ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 2. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 56–62 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1726 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
| 6. |
К. М. Макеев, В. Н. Гурин, Л. И. Деркаченко, М. П. Волков, А. С. Кузанян, А. А. Кузанян, Т. Б. Попова, Е. В. Иванова, “Получение кристаллов полиэлементных твердых растворов гексаборидов РЗМ”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 3–8 ; K. M. Makeev, V. N. Gurin, L. I. Derkachenko, M. P. Volkov, A. S. Kuzanyan, A. A. Kuzanyan, T. B. Popova, E. V. Ivanova, “Obtaining of crystals of polyelemental solid solutions of rare earth hexaborides”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2016), 1–3 |
3
|
|
1992 |
| 7. |
Г. К. Аверкиева, М. Е. Бойко, Н. Н. Константинова, Т. Б. Попова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, “Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe”, Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2284–2286  |
|
1991 |
| 8. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, К. Д. Моисеев, Н. А. Прокофьева, Т. Б. Попова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1639–1645 |
|
1987 |
| 9. |
В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, С. А. Руколайне, Т. В. Чернева, М. К. Эбаноидзе, “Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом”, ЖТФ, 57:4 (1987), 747–754 |
| 10. |
А. Ю. Наумов, С. А. Пермогоров, Т. Б. Попова, А. Н. Резницкий, В. Я. Жулай, “Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора
ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 350–353 |
|
1986 |
| 11. |
А. Г. Арешкин, Г. С. Пекарь, Г. Н. Полисский, Т. Б. Попова, Л. Г. Суслина, Д. Л. Федоров, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов полупроводников Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se с различной кристаллической структурой”, Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3743–3745 |
| 12. |
М. Е. Компан, Г. Б. Венус, О. В. Димитрова, Б. Н. Литвин, Т. Б. Попова, “Спектры люминесценции суперионного проводника Na$_{5}$TbSi$_{4}$O$_{12}$”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1944–1946 |
| 13. |
С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 789–792 |
|
Обратная связь: