|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. О. Кузьменко, А. В. Мяконьких, “Исследование индуктивно-связанной плазмы пониженного давления CF$_{3}$Br методами зонда Ленгмюра и оптической эмиссионной спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 52–54   ; V. O. Kuzmenko, A. V. Myakon'kikh, “Low-pressure inductively coupled CF$_{3}$Br plasma studied by the Langmuir probe and optical emission spectroscopy techniques”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 99–102 |
1
|
|
2020 |
| 2. |
А. Б. Толстогузов, М. Н. Дроздов, А. Е. Иешкин, А. А. Татаринцев, А. В. Мяконьких, С. Ф. Белых, Н. Г. Коробейщиков, В. О. Пеленович, Д. Фу, “Влияние размерного эффекта на кластерную ионную эмиссию наноструктур кремния”, Письма в ЖЭТФ, 111:8 (2020), 531–535 ; A. B. Tolstoguzov, M. N. Drozdov, A. E. Ieshkin, A. A. Tatarintsev, A. V. Myakon'kikh, S. F. Belykh, N. G. Korobeishchikov, V. O. Pelenovich, D. J. Fu, “Influence of the finite-size effect on the cluster ion emission of silicon nanostructures”, JETP Letters, 111:8 (2020), 467–471   |
4
|
|
2018 |
| 3. |
А. В. Фадеев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения пленок на 3D-структурах с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:2 (2018), 243–250 ; A. V. Fadeev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, “Analytical model of atomic layer deposition of films on 3D structures with high aspect ratios”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 235–242 |
6
|
| 4. |
А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, Ю. М. Чесноков, В. В. Денисов, А. Н. Кириченко, В. Н. Денисов, “Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 39–46 ; A. A. Lomov, A. V. Myakon'kikh, Yu. M. Chesnokov, V. V. Denisov, A. N. Kirichenko, V. N. Denisov, “Dose dependence of nanocrystal formation in helium-implanted silicon layers”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 291–294 |
|
2016 |
| 5. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
15
|
|
Обратная связь: