|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьёв, “Исследование термической устойчивости монослойной пленки $\rm SnS_2$, расположенной на графитовой подложке”, ТВТ, 59:1 (2021), 74–81   ; A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, A. S. Vorob`ev, “Study of the thermal stability of a monolayer $\rm SnS_2$ film on a graphite substrate”, High Temperature, 59:1 (2021), 66–72   |
1
|
|
2020 |
| 2. |
А. Е. Галашев, А. С. Воробьев, “Электронные свойства пленок силицена, подвергнутых нейтронному легированию”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 533–541 ; A. E. Galashev, A. S. Vorob'ev, “Electronic properties of silicene films subjected to neutron transmutation doping”, Semiconductors, 54:6 (2020), 641–649 |
4
|
|
2017 |
| 3. |
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьев, О. Р. Рахманова, “Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1218–1227 ; A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, A. S. Vorob'ev, O. R. Rakhmanova, “Structure and stability of defective silicene on Ag(001) and Ag(111) substrates: A computer experiment”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1242–1252 |
30
|
|
Обратная связь: