|
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)
Физика поверхности, тонкие пленки
Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьев, О. Р. Рахманова Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН, Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Методом молекулярной динамики исследована структура и устойчивость двухслойного дефектного силицена на подложках Ag (001) и Ag (111). Трансформация функции радиального распределения силицена, происходящая за счет формирования моно-, би-, три- и гексавакансий, в основном сводится к уменьшению интенсивности пиков и исчезновению “плеча” на втором пике. Со временем может происходить объединение поливакансий, а также их деление и формирование вакансионных кластеров. Согласно геометрическому критерию, подложка Ag (001) обеспечивает большую устойчивость совершенного двухслойного силицена. Однако более низкое значение энергии дефектного силицена на этой подложке наблюдается только при наличии в нем моно- и бивакансий. Изменение размера дефектов создает смену энергетического приоритета в выборе между подложками Ag (001) и Ag (111). Движение иона лития по расширенному каналу между двумя листами силицена приводит к дальнейшему разупорядочению дефектной структуры силицена, при этом наиболее сильные напряжения в силицене создаются силами, направленными перпендикулярно напряженности внешнего электрического поля. Эти силы доминируют в силиценовом канале, стенка которого поддерживается подложкой Ag (001) или Ag (111).
Поступила в редакцию: 18.07.2016 Исправленный вариант: 12.12.2016
Образец цитирования:
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьев, О. Р. Рахманова, “Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1218–1227; Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1242–1252
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9563 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i6/p1218
|
|