Аннотация:
Методом молекулярной динамики исследована структура и устойчивость двухслойного дефектного силицена на подложках Ag (001) и Ag (111). Трансформация функции радиального распределения силицена, происходящая за счет формирования моно-, би-, три- и гексавакансий, в основном сводится к уменьшению интенсивности пиков и исчезновению “плеча” на втором пике. Со временем может происходить объединение поливакансий, а также их деление и формирование вакансионных кластеров. Согласно геометрическому критерию, подложка Ag (001) обеспечивает большую устойчивость совершенного двухслойного силицена. Однако более низкое значение энергии дефектного силицена на этой подложке наблюдается только при наличии в нем моно- и бивакансий. Изменение размера дефектов создает смену энергетического приоритета в выборе между подложками Ag (001) и Ag (111). Движение иона лития по расширенному каналу между двумя листами силицена приводит к дальнейшему разупорядочению дефектной структуры силицена, при этом наиболее сильные напряжения в силицене создаются силами, направленными перпендикулярно напряженности внешнего электрического поля. Эти силы доминируют в силиценовом канале, стенка которого поддерживается подложкой Ag (001) или Ag (111).
Поступила в редакцию: 18.07.2016 Исправленный вариант: 12.12.2016
Образец цитирования:
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьев, О. Р. Рахманова, “Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1218–1227; Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1242–1252
\RBibitem{GalIvaVor17}
\by А.~Е.~Галашев, К.~А.~Иваничкина, А.~С.~Воробьев, О.~Р.~Рахманова
\paper Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1218--1227
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9563}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44496.300}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29405131}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1242--1252
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417060087}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9563
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i6/p1218
Эта публикация цитируется в следующих 30 статьяx:
Vo Van On, J.F. Rivas-Silva, Gregorio H. Cocoletzi, J. Guerrero-Sanchez, D.M. Hoat, “Feature-rich electronic and magnetic properties in silicene monolayer induced by nitrogenation: A first-principles study”, Chemical Physics, 568 (2023), 111844
I. V. Kosarev, A. A. Kistanov, R. I. Babicheva, E. A. Korznikova, J. A. Baimova, S. V. Dmitriev, “Topological defects in silicene”, EPL, 141:6 (2023), 66001
Alexander Y. Galashev, Alexey S. Vorob'ev, “An ab initio study of the interaction of graphene and silicene with one-, two-, and three-layer planar silicon carbide”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 138 (2022), 115120
Alexander Y. Galashev, Kseniya A. Ivanichkina, Oksana R. Rakhmanova, “Advanced hybrid-structured anodes for lithium-ion batteries”, Computational Materials Science, 200 (2021), 110771
A.Y. Galashev, O.R. Rakhmanova, “Promising two-dimensional nanocomposite for the anode of the lithium-ion batteries. Computer simulation”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 126 (2021), 114446
Alexander Y. Galashev, Ksenia A. Ivanichkina, Alexey S. Vorob'ev, Oksana R. Rakhmanova, Konstantin P. Katin, Mikhail M. Maslov, “Improved lithium-ion batteries and their communication with hydrogen power”, International Journal of Hydrogen Energy, 46:32 (2021), 17019
Ksenia A. Ivanichkina, Alexander Y. Galashev, Andrey V. Isakov, “Computational modeling of electrolytic deposition of a single-layer silicon film on silver and graphite substrates”, Applied Surface Science, 561 (2021), 149959
А. Е. Галашев, А. С. Воробьев, “Электронные свойства пленок силицена, подвергнутых нейтронному легированию”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 533–541; A. E. Galashev, A. S. Vorob'ev, “Electronic properties of silicene films subjected to neutron transmutation doping”, Semiconductors, 54:6 (2020), 641–649
A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, “Computer Study of Silicene Applicability in Electrochemical Devices”, J Struct Chem, 61:4 (2020), 659
Alexander Y. Galashev, Ksenia A. Ivanichkina, “Silicene Anodes for Lithium-Ion Batteries on Metal Substrates”, J. Electrochem. Soc., 167:5 (2020), 050510
A. E. Galashev, O. R. Rakhmanova, “Stability of a Two-Layer Silicene on a Nickel Substrate upon Intercalation of Graphite”, Glass Phys Chem, 46:4 (2020), 321
Alexander Y. Galashev, Alexey S. Vorob'ev, “Electronic and mechanical properties of silicene after nuclear transmutation doping with phosphorus”, J Mater Sci, 55:25 (2020), 11367
Alexander Y. Galashev, Andrey V. Suzdaltsev, Ksenia A. Ivanichkina, “Design of the high performance microbattery with silicene anode”, Materials Science and Engineering: B, 261 (2020), 114718
A. E. Galashev, O. R. Rakhmanova, K. P. Katin, M. M. Maslov, Yu. P. Zaikov, “Effect of an Electric Field on a Lithium Ion in a Channel of the Doped Silicene–Graphite System”, Russ. J. Phys. Chem. B, 14:6 (2020), 1055
A Ye Galashev, O R Rakhmanova, Yu P Zaikov, “Kinetic test of a doped silicene-graphite anode element in a computer experiment”, J. Phys.: Conf. Ser., 1435:1 (2020), 012061
A. E. Galashev, O. R. Rakhmanova, A. V. Isakov, “Molecular Dynamic Behavior of Lithium Atoms in a Flat Silicene Pore on a Copper Substrate”, Russ. J. Phys. Chem. B, 14:4 (2020), 705
Haifeng Xu, Fanwei Meng, Xuanwei Lei, Jian Yang, Jihua Huang, Shuhai Chen, Yue Zhao, “Influence of interfacial configuration on bonding strength and wettability between CuNiTi active filler metal and AlN ceramic”, Ceramics International, 46:16 (2020), 25705
Alexander Y. Galashev, “Computational investigation of silicene/nickel anode for lithium-ion battery”, Solid State Ionics, 357 (2020), 115463
A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, “Computer Modeling of Lithium Intercalation and Deintercalation in a Silicene Channel”, Russ. J. Phys. Chem., 93:4 (2019), 765
Alexander Y. Galashev, Konstantin P. Katin, Mikhail M. Maslov, “Morse parameters for the interaction of metals with graphene and silicene”, Physics Letters A, 383:2-3 (2019), 252
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: