Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теплофизика высоких температур, 2021, том 59, выпуск 1, страницы 74–81
DOI: https://doi.org/10.31857/S0040364420060095
(Mi tvt11286)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Теплофизические свойства веществ

Исследование термической устойчивости монослойной пленки $\rm SnS_2$, расположенной на графитовой подложке

А. Е. Галашевab, К. А. Иваничкинаa, А. С. Воробьёвa

a Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
Список литературы:
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследована термодинамическая устойчивость двумерной системы “дисульфид олова на графитовой подложке” в температурном диапазоне от $200$ до $550$ К. Хотя термический и механический критерии устойчивости предсказывают отсутствие разрушения этого нанокомпозита, связанного с появлением фазового перехода, при температурах $T \ge 450$ К происходит отслоение пленки от подложки. Такое структурное изменение сопровождается небольшим изменением тренда температурной зависимости изобарной теплоемкости. Спектры электронной плотности и зонная структура этой системы рассчитаны с помощью ab initio молекулярной динамики. Зонная структура монослоя дисульфида олова значительно трансформируется после помещения пленки на графитовую подложку. Изменения зонной структуры выражаются в значительном сужении запрещенной зоны системы "пленка $\rm SnS_2$–графитовая подложка" и переходе нанокомпозита в проводящее состояние при $T \ge 450$ К. Применение рассматриваемого нанокомпозита в качестве материала анода или в электронных устройствах допустимо, если его рабочая температура не превышает $400$ К.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 18-10-3-31
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Президиума УрО РАН № 18-10-3-31.
Поступила в редакцию: 01.11.2019
Исправленный вариант: 20.12.2019
Принята в печать: 24.12.2019
Англоязычная версия:
High Temperature, 2021, Volume 59, Issue 1, Pages 66–72
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X20060097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.216:536.42
Образец цитирования: А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьёв, “Исследование термической устойчивости монослойной пленки $\rm SnS_2$, расположенной на графитовой подложке”, ТВТ, 59:1 (2021), 74–81; High Temperature, 59:1 (2021), 66–72
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalIvaVor21}
\by А.~Е.~Галашев, К.~А.~Иваничкина, А.~С.~Воробьёв
\paper Исследование термической устойчивости монослойной пленки $\rm SnS_2$, расположенной на графитовой подложке
\jour ТВТ
\yr 2021
\vol 59
\issue 1
\pages 74--81
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt11286}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S0040364420060095}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44847156}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2021
\vol 59
\issue 1
\pages 66--72
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X20060097}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000770769900010}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85127364257}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt11286
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v59/i1/p74
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024