|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. А. Баитова, М. А. Князева, И. А. Муканов, А. О. Тарасевич, А. В. Наумов, А. Г. Сон, С. А. Козюхин, И. Ю. Еремчев, “Эволюция люминесцентных свойств одиночных нанокристаллов перовскита CsPbBr$_3$ в процессе фотодеградации”, Письма в ЖЭТФ, 118:8 (2023), 570–577  ; V. A. Baitova, M. A. Knyazeva, I. A. Mukanov, A. O. Tarasevich, A. V. Naumov, A. G. Son, S. A. Kozyukhin, I. Yu. Eremchev, “Evolution of the luminescence properties of single CsPbBr$_3$ perovskite nanocrystals during photodegradation”, JETP Letters, 118:8 (2023), 560–567 |
3
|
|
2022 |
| 2. |
С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. И. Попов, И. Л. Еременко, “Материалы фазовой памяти и их применение”, Усп. хим., 91:9 (2022), RCR5033  ; S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, A. I. Popov, I. L. Eremenko, “Phase change memory materials and their applications”, Russian Chem. Reviews, 91:9 (2022), RCR5033   |
15
|
|
2018 |
| 3. |
K. V. Ivanov, A. V. Agafonov, A. Y. Baranchikov, V. K. Ivanov, S. A. Kozyukhin, E. V. Fatyushina, V. V. Kozik, “Influence of thermal treatment of nanometer-sized titanate and barium orthotitanate precursors on the electrorheological effect”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 746–753 |
5
|
| 4. |
С. А. Козюхин, С. А. Бедин, П. Г. Рудаковская, О. С. Иванова, В. К. Иванов, “Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 745–750 ; S. A. Kozyukhin, S. A. Bedin, P. G. Rudakovskaya, O. S. Ivanova, V. K. Ivanov, “Dielectric properties of nanocrystalline tungsten oxide in the temperature range of 223–293 K”, Semiconductors, 52:7 (2018), 885–890 |
7
|
| 5. |
С. А. Яковлев, А. В. Анкудинов, Ю. В. Воробьев, М. М. Воронов, С. А. Козюхин, Б. Т. Мелех, А. Б. Певцов, “Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$: фазовые изменения и формирование периодических структур”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 664–670 ; S. A. Yakovlev, A. V. Ankudinov, Yu. V. Vorobyov, M. M. Voronov, S. A. Kozyukhin, B. T. Melekh, A. B. Pevtsov, “Laser-induced modification of the surface of Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ thin films: phase changes and periodic-structure formation”, Semiconductors, 52:6 (2018), 809–815 |
10
|
|
2017 |
| 6. |
А. А. Шерченков, С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. В. Бабич, Н. А. Богословский, И. В. Сагунова, Е. Н. Редичев, “Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 154–160 ; A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, A. V. Babich, N. A. Bogoslovskii, I. V. Sagunova, E. N. Redichev, “Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$ chalcogenide semiconductors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 146–152 |
2
|
|
2016 |
| 7. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Д. Арсова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, О. Ю. Приходько, “Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, D. Arsova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, O. Yu. Prikhodko, “Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode”, Semiconductors, 50:7 (2016), 941–946 |
1
|
|
Обратная связь: