Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 745–750
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46046.8719
(Mi phts5784)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K

С. А. Козюхинab, С. А. Бединc, П. Г. Рудаковскаяa, О. С. Ивановаa, В. К. Ивановad

a Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
c Московский государственный педагогический университет, Москва
d Московский технологический университет, г. Москва
Аннотация: Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223–293 K и в диапазоне частот $\nu$ = 10$^{-2}$–10$^{6}$ Гц. Порошки WO$_{3}$ с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики $\varepsilon'(\nu)$ и $\varepsilon''(\nu)$ уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида $\nu^{s}$ с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 – 0.90) $\pm$ 0.01, что свойственно “прыжковому” механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-13-10399
Исследование выполнено при поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 16-13-10399).
Поступила в редакцию: 30.08.2017
Принята в печать: 12.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 885–890
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Козюхин, С. А. Бедин, П. Г. Рудаковская, О. С. Иванова, В. К. Иванов, “Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 745–750; Semiconductors, 52:7 (2018), 885–890
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozBedRud18}
\by С.~А.~Козюхин, С.~А.~Бедин, П.~Г.~Рудаковская, О.~С.~Иванова, В.~К.~Иванов
\paper Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223--293 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 745--750
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5784}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46046.8719}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269406}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 885--890
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5784
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p745
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024