|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K
С. А. Козюхинab, С. А. Бединc, П. Г. Рудаковскаяa, О. С. Ивановаa, В. К. Ивановad a Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
c Московский государственный педагогический университет, Москва
d Московский технологический университет, г. Москва
Аннотация:
Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223–293 K и в диапазоне частот $\nu$ = 10$^{-2}$–10$^{6}$ Гц. Порошки WO$_{3}$ с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики $\varepsilon'(\nu)$ и $\varepsilon''(\nu)$ уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида $\nu^{s}$ с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 – 0.90) $\pm$ 0.01, что свойственно “прыжковому” механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.
Поступила в редакцию: 30.08.2017 Принята в печать: 12.09.2017
Образец цитирования:
С. А. Козюхин, С. А. Бедин, П. Г. Рудаковская, О. С. Иванова, В. К. Иванов, “Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 745–750; Semiconductors, 52:7 (2018), 885–890
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5784 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p745
|
|