Материалы фазовой памяти и их применение

В последние 30 лет наблюдается стремительный рост исследований материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников — от лабораторных разработок до широкого применения в качестве функциональных слоев в различных устройствах. Прежде всего это касается соединений системы Ge–Sb–Te, что с полным основанием позволяет считать их функциональными материалами. В обзоре представлен современный взгляд на проблему управления свойствами материалов фазовой памяти путем их химического и структурного модифицирования. Освещены как существующие, так и перспективные области применения данных материалов. При рассмотрении химического модифицирования основное внимание уделено таким распространенным примесям, как висмут, олово, кислород, азот, а также добавкам тугоплавких металлов. При обсуждении структурного модифицирования подробно рассмотрено применение лазерного излучения. В настоящее время это одно из основных направлений решения проблемы повышения быстродействия устройств на основе материалов фазовой памяти. Проанализированы результаты исследований эффекта формирования в таких материалах периодических поверхностных структур, и подчеркнуто, что данный эффект уже в ближайшем будущем может найти применение в нанофотонике и оптоэлектронике.
Библиография — 366 ссылок.