Успехи химии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Усп. хим.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи химии, 2022, том 91, выпуск 9, RCR5033
DOI: https://doi.org/10.1070/RCR5033
 

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Материалы фазовой памяти и их применение

С. А. Козюхинa, П. И. Лазаренкоb, А. И. Поповc, И. Л. Еременкоa

a Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
Аннотация: В последние 30 лет наблюдается стремительный рост исследований материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников — от лабораторных разработок до широкого применения в качестве функциональных слоев в различных устройствах. Прежде всего это касается соединений системы Ge–Sb–Te, что с полным основанием позволяет считать их функциональными материалами. В обзоре представлен современный взгляд на проблему управления свойствами материалов фазовой памяти путем их химического и структурного модифицирования. Освещены как существующие, так и перспективные области применения данных материалов. При рассмотрении химического модифицирования основное внимание уделено таким распространенным примесям, как висмут, олово, кислород, азот, а также добавкам тугоплавких металлов. При обсуждении структурного модифицирования подробно рассмотрено применение лазерного излучения. В настоящее время это одно из основных направлений решения проблемы повышения быстродействия устройств на основе материалов фазовой памяти. Проанализированы результаты исследований эффекта формирования в таких материалах периодических поверхностных структур, и подчеркнуто, что данный эффект уже в ближайшем будущем может найти применение в нанофотонике и оптоэлектронике.
Библиография — 366 ссылок.
Ключевые слова: фазовая память, материалы системы Ge-Sb-Te, халькогенидные стеклообразные полупроводники, фазовый переход, примесные элементы, модификации структуры, лазерное облучение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-13-50295
Обзор подготовлен при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 20-13-50295).
Поступила в редакцию: 15.07.2021
Англоязычная версия:
Russian Chemical Reviews, 2022, Volume 91, Issue 9, RCR5033
DOI: https://doi.org/10.1070/RCR5033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. И. Попов, И. Л. Еременко, “Материалы фазовой памяти и их применение”, Усп. хим., 91:9 (2022), RCR5033; Russian Chem. Reviews, 91:9 (2022), RCR5033
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozLazPop22}
\by С.~А.~Козюхин, П.~И.~Лазаренко, А.~И.~Попов, И.~Л.~Еременко
\paper Материалы фазовой памяти и их применение
\jour Усп. хим.
\yr 2022
\vol 91
\issue 9
\papernumber RCR5033
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/rcr4401}
\crossref{https://doi.org/10.1070/RCR5033}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49371484}
\transl
\jour Russian Chem. Reviews
\yr 2022
\vol 91
\issue 9
\papernumber RCR5033
\crossref{https://doi.org/10.1070/RCR5033}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000893746900001}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85142459215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/rcr4401
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи химии Успехи химии
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:85
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024