|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$: фазовые изменения и формирование периодических структур
С. А. Яковлевa, А. В. Анкудиновab, Ю. В. Воробьевc, М. М. Вороновa, С. А. Козюхинd, Б. Т. Мелехa, А. Б. Певцовa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Рязанский государственный радиотехнический университет
d Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
Аннотация:
На поверхности пленочных материалов с фазовой памятью на основе сложного халькогенида (Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$) под действием лазерных импульсов наносекундной длительности сформированы субмикронные периодические решетки. Геометрические характеристики и структурные свойства лазерно-индуцированных решеток исследованы с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии, а также рамановской спектроскопии. Показано, что при специально подобранных параметрах лазерного воздействия в созданных структурах можно реализовать периодическую модуляцию показателя преломления, обусловленную застыванием после лазерного воздействия гребней и впадин решеток в разных фазовых состояниях, диэлектрические константы которых сильно отличаются друг от друга. Вблизи максимумов волнообразной структуры формируется преимущественно аморфное состояние, в то время как в области минимумов структура Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в основном соответствует кристаллической фазе.
Поступила в редакцию: 31.10.2017 Принята в печать: 08.11.2017
Образец цитирования:
С. А. Яковлев, А. В. Анкудинов, Ю. В. Воробьев, М. М. Воронов, С. А. Козюхин, Б. Т. Мелех, А. Б. Певцов, “Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$: фазовые изменения и формирование периодических структур”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 664–670; Semiconductors, 52:6 (2018), 809–815
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5819 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p664
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 34 |
|