|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. П. Гамбарян, Г. К. Кривякин, С. Г. Черкова, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi$_x$O$_y$”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 434–441   ; M. P. Gambaryan, G. K. Krivyakin, S. G. Cherkova, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. A. Volodin, “Quantum size effects in germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSi$_x$O$_y$ films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 492–498 |
16
|
| 2. |
Zhang Fan, С. А. Кочубей, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 251–258 ; Zhang Fan, S. A. Kochubei, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. A. Volodin, “On the formation of amorphous Ge nanoclusters and Ge nanocrystals in GeSi$_{x}$O$_{y}$ films on quartz substrates by furnace and pulsed laser annealing”, Semiconductors, 54:3 (2020), 322–329 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, М. Штоффель, Э. Риннерт, М. Вернья, “Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 371–374 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Vibrational and light-emitting properties of Si/Si$_{1-x}$Sn$_x$ heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 368–371   |
1
|
|
2018 |
| 4. |
В. А. Володин, Zhang Rui, Г. К. Кривякин, А. Х. Антоненко, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1056–1065 ; V. A. Volodin, Zhang Rui, G. K. Krivyakin, A. Kh. Antonenko, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “On the formation of IR-light-emitting Ge nanocrystals in Ge:SiO$_{2}$ films”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1178–1187 |
4
|
|
Обратная связь: