|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. И. Галимов, М. В. Рахлин, Г. В. Климко, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Гусева, С. И. Трошков, Т. В. Шубина, А. А. Торопов, “Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений”, Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021), 248–255   ; A. I. Galimov, M. V. Rakhlin, G. V. Klimko, Yu. M. Zadiranov, Yu. A. Guseva, S. I. Troshkov, T. V. Shubina, A. A. Toropov, “Source of indistinguishable single photons based on epitaxial InAs/GaAs quantum dots for integration in quantum computing schemes”, JETP Letters, 113:4 (2021), 252–258   |
8
|
|
2020 |
| 2. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 |
4
|
|
2019 |
| 3. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 147–151 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149 |
6
|
|
2018 |
| 4. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 687–690 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 691–694 |
1
|
| 5. |
M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 480 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 511–513 |
| 6. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 |
4
|
|
2016 |
| 7. |
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48 ; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 |
6
|
|
Обратная связь: