термомиграция,
нормальный и тангенциальный градиенты,
моделирование,
охранное кольцо.
Основные темы научной работы
Применение метода термомиграции для создания приборов твердотельной электроники
Основные публикации:
Лозовский В.Н., Полухин А.С., Середин Б.М., Технология силовых кремниевых приборов на основе термомиграции, Терра-Дон, Ростов-на-Дону, 2016
V.V. Kuznetsov, V.N. Lozovskii, V.P. Popov, E.R. Rubtsov, B.M. Seredin, “Kinetics in the Si–Al–Ga and Si–Al–Sn Systems”, Inorganic Materials, 54:1 (2018), 32-36
Knyazev, S.Y., Lozovskii, V.N., Lozovskii, B.M. Seredin, “Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1045-1048
Lozovskiy, V.N., Seredin, B.M., Arkhipova, N.Yu., “Local Doping of Semiconductor Crystals by Thermomigration”, Materials Engineering and Technologies for Production and Processing, Materials Science Forum, 843, 2016, 46-52
Sysoev I.A., Lunina M.L., Alfimova D.L., Blagin A.V., Gusev D.A., Seredin B.M., “Growth of GaxIn1-x AsyP1-y /GaAs Quantum dot arrays by ion beam deposition”, Inorganic Materials, 50:3 (2014), 215-221
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, И. Л. Шульпина, “Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga”, ЖТФ, 91:3 (2021), 467–474; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, I. L. Shul'pina, “The formation and structure of thermomigration silicon channels doped with Ga”, Tech. Phys., 66:3 (2021), 453–460
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, С. Г. Симакин, И. Л. Шульпина, “Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 27–30; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, S. G. Simakin, I. L. Shul'pina, “Structural perfection and composition of gallium-doped thermomigration silicon layers”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 279–282
Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802
В. Н. Лозовский, А. А. Ломов, Л. С. Лунин, Б. М. Середин, Ю. М. Чесноков, “Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 297–301; V. N. Lozovskii, A. A. Lomov, L. S. Lunin, B. M. Seredin, Yu. M. Chesnokov, “Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration”, Semiconductors, 51:3 (2017), 285–289
С. Ю. Князев, В. Н. Лозовский, В. С. Лозовский, Б. М. Середин, “Проявления индуцированной нестабильности межфазных границ при термомиграции”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 49–56; S. Yu. Knyazev, V. N. Lozovskii, V. S. Lozovskii, B. M. Seredin, “Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1045–1048
Обратная связь: