Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 297–301
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44196.8264 (Mi phts6198) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции

В. Н. Лозовскийa, А. А. Ломовb, Л. С. Лунинa, Б. М. Серединa, Ю. М. Чесноковc

a Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
b Физико-технологический институт РАН, г. Москва
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (1130 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44196.8264
Аннотация: Приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей кремния, перекристаллизованных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоной. Подобные области, легированные акцепторной примесью, необходимы для получения высоковольтных фотопреобразователей.
С помощью рентгеновских дифракционных методов двухкристальных кривых отражения и топографии, а также просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что при проведении термомиграции жидких зон в виде серии тонких полос или прямоугольных сеток формируются монокристаллические области. Выявлены дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены $\{311\}$-дефекты.
Поступила в редакцию: 12.04.2016
Принята в печать: 20.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 285–289
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030162
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Лозовский, А. А. Ломов, Л. С. Лунин, Б. М. Середин, Ю. М. Чесноков, “Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 297–301; Semiconductors, 51:3 (2017), 285–289
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LozLomLun17}
\by В.~Н.~Лозовский, А.~А.~Ломов, Л.~С.~Лунин, Б.~М.~Середин, Ю.~М.~Чесноков
\paper Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 297--301
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6198}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44196.8264}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006015}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 285--289
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030162}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6198
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p297
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024