|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физическое материаловедение
Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga
А. А. Ломовa, Б. М. Серединb, C. Ю. Мартюшовc, А. Н. Заиченкоb, И. Л. Шульпинаd a Физико-технологический институт им. К.А. Валиев РАН, г. Москва
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
c Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Москва
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом термомиграции локальных галлиевых зон в пластинах c-Si(111) при температуре 1450 K созданы сквозные вертикальные $p$-каналы Si(Ga). Для достижения этой цели предложена и реализована методика формирования локальных зон, состоящая в заполнении высокодисперсным порошком Ga вытравленных в пластине кремния линейных пазов шириной 60–100 $\mu$m и глубиной 30–50 $\mu$m. Показано, что высокий выход годных зон происходит при размере зерен порошка 5 $\mu$m и температуре $\sim$ 284 K. Полученные термомиграционные $p$-каналы Si(Ga) исследованы рентгеновскими методами двухкристальных кривых дифракционного отражения и проекционной топографии. Характеризация структурного совершенства галлиевых $p$-каналов выполнена на основе их сравнения с особенностями строения термомиграционных каналов Si(Al), полученных вблизи “ретроградной” температуры 1380 K. Показано, что типичным видом структурных дефектов на границах обоих термомиграционных каналов являются дислокационные полупетли, закрепленные своими концами на их границах. Определены величины деформации (2–5)$\cdot$10$^{-5}$ и изгиба (15"–30") кристаллических плоскостей вблизи границы канал-матрица пластины исследуемых образцов. Концентрация внедренных атомов алюминия и галлия в кристаллическую решетку кремниевых каналов образцов в модели Вегарда составила $C_{\mathrm{Al}}\sim$10$^{19}$ cm$^{-3}$ и $C_{\mathrm{Ga}}\sim$ 1.9$\cdot$10$^{19}$ cm$^{-3}$ соответственно.
Ключевые слова:
термомиграция, локальное легирование, каналы, кремний, галлий, алюминий, рентгеновская топография, высокоразрешающая дифрактометрия.
Поступила в редакцию: 05.07.2020 Исправленный вариант: 26.08.2020 Принята в печать: 08.09.2020
Образец цитирования:
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, И. Л. Шульпина, “Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga”, ЖТФ, 91:3 (2021), 467–474; Tech. Phys., 66:3 (2021), 453–460
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5059 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i3/p467
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 39 |
|