|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. М. Микушкин, “Атомно-подобные незанятые состояния GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 801–806   ; V. M. Mikoushkin, “Unoccupied atomic-like states of gaas”, JETP Letters, 112:12 (2020), 764–768   |
| 2. |
V. M. Mikushkin, E. A. Makarevskaya, A. P. Solonitsyna, M. Brzhezinskaya, “The diagram of $p$–$n$ junction formed on the $n$-GaAs surface by 1.5 keV Ar$^+$ ion beam”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1396 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1702–1705 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440 ; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
В. М. Микушкин, “Квантовая яма на поверхности $n$-GaAs, облученной ионами аргона”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 248–251 ; V. M. Mikoushkin, “Quantum well on the $n$-GaAs surface irradiated by argon ions”, JETP Letters, 107:4 (2018), 243–246 |
3
|
| 5. |
V. M. Mikushkin, V. V. Bryzgalov, S. Yu. Nikonov, A. P. Solonitsyna, D. E. Marchenko, “Composition and band structure of the native oxide nanolayer on the ion beam treated surface of the GaAs wafer”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 506 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 593–596 |
11
|
| 6. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 |
2
|
| 7. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
В. М. Микушкин, А. С. Крюков, “Электронно-стимулированное восстановление поверхности оксида графита”, Письма в ЖТФ, 42:7 (2016), 1–9 ; V. M. Mikushkin, A. S. Kryukov, “Electron-stimulated reduction of the surface of graphite oxide”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 337–340 |
2
|
|
2015 |
| 9. |
В. М. Микушкин, А. С. Крюков, “Электронно-стимулированное восстановление оксида графита”, Письма в ЖЭТФ, 102:7 (2015), 497–501 ; V. M. Mikoushkin, A. S. Kryukov, “Electron-stimulated reduction of graphite oxide”, JETP Letters, 102:7 (2015), 443–447 |
2
|
|
2014 |
| 10. |
E. O. Petrenko, M. V. Makarets, V. M. Mikushkin, V. M. Pugatch, “Simulation of secondary electron transport in thin metal and fullerite films”, Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014), 81–85 |
|
1985 |
| 11. |
Г. Н. Огурцов, В. М. Микушкин, И. П. Флакс, М. Г. Саргсян, “МО-механизм образования автоионизационных состояний при протонном ударе”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 652–655 |
|
Обратная связь: