Квантовая яма на поверхности $n$-GaAs, облученной ионами аргона

Методом фотоэлектронной спектроскопии исследована плотность состояний валентной зоны слоя $p$-GaAs , образованного на поверхности $n$-GaAs бомбардировкой ионами Ar$^+$ с энергией $E_{\text{i}}=2500\,$эВ. В спектре края валентной зоны в области энергий связи $E_{\text{V}}< 1.2\,$эВ обнаружен ряд пиков. Их количество и энергетическое положение соответствуют уровням размерного квантования, рассчитанным для дырочной квантовой ямы на поверхности шириной порядка глубины проникновения ионов $R_{\text{p}}=3.6\,$нм. Электронные переходы из этих уровней в дно зоны проводимости обнаружены в спектре характеристических потерь энергии электронов, отраженных поверхностью. Таким образом, показано, что воздействие пучка ионов аргона на $n$-GaAs приводит к образованию квантовой ямы на поверхности.