полупроводники, лазеры, квантовая оптика примесных центров, метод пробного импульса, спектроскопия
Основные публикации:
Pavlov, S. G., Deßmann, N., Pohl, A., Zhukavin, R. K., Klaassen, T. O., Abrosimov, N. V., ... & Hübers, H. W., “Terahertz transient stimulated emission from doped silicon”, APL Photonics, 5:10 (2020), 106102
Zhukavin, R. K., Kovalevsky, K. A., Pavlov, S. G., Deßmann, N., Pohl, A., Tsyplenkov, V. V., ... & Shastin, V. N., “Frequency Tuning of Terahertz Stimulated Emission under the Intracenter Optical Excitation of Uniaxially Stressed Si: Bi.”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969
Zhukavin, R. K., Pavlov, S. G., Stavrias, N., Saeedi, K., Kovalevsky, K. A., Phillips, P. J., ... & Shastin, V. N., “Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon”, Journal of Applied Physics, 127:3 (2020), 035706
Zhukavin, R. K., Kovalevskii, K. A., Choporova, Y. Y., Tsyplenkov, V. V., Gerasimov, V. V., Bushuikin, P. A., ... & Shastin, V. N., “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium.”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677
S. G. Pavlov, N. Deßmann, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, H.-W. Hübers, “Competing Inversion-Based Lasing and Raman Lasing in Doped Silicon”, Phys. Rev. X, 8 (2018), 041003
Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 401–405 [R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “The mechanism of stimulated Raman scattering of light in silicon doped with helium-like donors”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021]
2022
2.
Р. Х. Жукавин, П. А. Бушуйкин, В. Д. Кукотенко, Ю. Ю. Чопорова, Н. Дессманн, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 139–145; R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143
Р. Х. Жукавин, “Терагерцовое стимулированное излучение при оптическом резонансном возбуждении германия, легированного мелкими донорами”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 729–732; R. Kh. Zhukavin, “Terahertz stimulated emission under the optical resonant excitation of germanium doped with shallow donors”, Semiconductors, 55:10 (2021), 804–807
2020
4.
К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, “Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии”, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019), 677–682; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682
Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
8.
В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 555–560; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
11.
А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, “Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1629–1633; A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608
12.
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462
13.
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
2015
14.
К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 113–120 [K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120]
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775
Обратная связь: