Основные темы научной работы |
Монте-Карло моделирование, механизмы формирования наноструктур (нитевидные нанокристаллы, нанокластеры), эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей полупроводников при эпитаксии и отжиге. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, “Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 160–164   ; A. A. Spirina, N. L. Shwartz, “Influence of temperature on the planar GaAs nanowire morphology (simulation)”, Semiconductors, 54:2 (2020), 212–216 |
2
|
| 2. |
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14 ; E. A. Emelyanov, A. G. Nastovjak, M. O. Petrushkov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, M. A. Putyato, N. L. Shwartz, V. A. Shvets, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, “A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs (111)$B$ and GaAs (100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz, “Concentric GaAs nanorings growth modelling”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 520 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 639–644 |
2
|
| 4. |
D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, “Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 514 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 618–621 |
6
|
|
2014 |
| 5. |
А. Н. Карпов, А. В. Зверев, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц, “Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур”, Выч. мет. программирование, 15:3 (2014), 388–399 |
|
Обратная связь: