|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)
А. А. Спиринаa, Н. Л. Шварцab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
Аннотация:
С помощью кинетической решеточной модели Монте-Карло проанализирован самокаталитический рост планарных GaAs нанопроволок. Рост нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл рассматривался для подложек GaAs с ориентациями (111)А и (111)В. Исследовалось влияние температуры и расположения капель галлия на морфологию и направление роста планарных GaAs нанопроволок. Выявлен диапазон температур, в котором наблюдался стабильный рост планарных GaAs-нанопроволок на поверхности GaAs(111)А. Выбранное асимметричное расположение капель позволяет получать однонаправленный рост нанопроволок.
Ключевые слова:
GaAs, планарные нанопроволоки, моделирование, Монте-Карло.
Поступила в редакцию: 26.09.2019 Исправленный вариант: 30.09.2019 Принята в печать: 30.09.2019
Образец цитирования:
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, “Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 160–164; Semiconductors, 54:2 (2020), 212–216
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5280 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p160
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 13 |
|