|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424   ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
| 2. |
М. Л. Орлов, Н. С. Волкова, Н. Л. Ивина, Л. К. Орлов, “Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014 ; M. L. Orlov, N. S. Volkova, N. L. Ivina, L. K. Orlov, “Electric-field behavior of the resonance features of the tunneling photocurrent component in InAs(QD)/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1129–1136 |
2
|
| 3. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655 ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
|
2014 |
| 5. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161   |
11
|
|
Обратная связь: