Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1006–1014
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46148.8683 (Mi phts5731) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs

М. Л. Орловab, Н. С. Волковаc, Н. Л. Ивинаa, Л. К. Орловbd

a Нижегородский Институт Управления при президенте Российской Федерации, филиал РАНХиГС
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
PDF полного текста (373 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46148.8683
Аннотация: Изучено электрополевое поведение резонансных особенностей, наблюдаемых на фотоэлектрических характеристиках гетерокомпозиций InAs/GaAs. Обсуждается механизм эмиссии возбуждаемых светом носителей заряда из квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Показано, что при температуре жидкого азота величина фототока в сильном поперечном электрическом поле определяется исключительно эффектом туннелирования электронов сквозь барьер, формируемый в окрестности интерфейсов квантовых точек. Сопоставление экспериментальных кривых с квазиклассическим выражением для туннельной составляющей тока и последующий анализ структуры потенциала позволили уточнить значения параметров исследуемой гетерокомпозиции. Проанализирован вклад в общую величину туннельного тока резонансной составляющей, связанной с возможным туннелированием электронов сквозь барьер с участием локальных уровней дефектов на гетерогранице. Проведен теоретический анализ влияния уровня возбуждения системы на величину фототока, протекающего через гетеропереход InAs/GaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2011-1.2.1-12-000-2013-095
2012-1.3.1-12-000-2003-031
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-5200062
Работа выполнялась в рамках федеральной целевой программы “Научные и научно-педагогические кадры инновационной России” на 2009–2013 годы, шифры заявок 2011-1.2.1-12-000-2013-095 и 2012-1.3.1-12-000-2003-031 (№ 8543). Авторы также благодарят Российский фонд фундаментальных исследований (проект № 18-42-5200062) за оказанную поддержку.
Поступила в редакцию: 10.07.2017
Принята в печать: 24.07.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1129–1136
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Л. Орлов, Н. С. Волкова, Н. Л. Ивина, Л. К. Орлов, “Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014; Semiconductors, 52:9 (2018), 1129–1136
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlVolIvi18}
\by М.~Л.~Орлов, Н.~С.~Волкова, Н.~Л.~Ивина, Л.~К.~Орлов
\paper Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1006--1014
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5731}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46148.8683}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903544}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1129--1136
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5731
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1006
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024