Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Astrova, Ekaterina Vladimirovna
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 31
Scientific articles: 31

Number of views:
This page:102
Abstract pages:1251
Full texts:639
Candidate of physico-mathematical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person162207
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=41806

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:9 (2021),  1381–1392  mathnet  elib; Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  scopus 4
2. D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, R. V. Sokolov, D. A. Kirilenko, A. A. Levin, A. V. Parfeneva, V. P. Ulin, “Formation of silicon nanoclusters upon disproportionation of silicon monoxide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:4 (2021),  373–387  mathnet  elib; Semiconductors, 55:4 (2021), 423–437 5
2020
3. E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Baidakova, “Interaction of fluorocarbon with silicon monoxide and processes of SiC nanowire formation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  753–765  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 900–911 4
4. D. A. Lozhkina, A. M. Rumyantsev, E. V. Astrova, “Impedance spectroscopy of porous silicon and silicon-carbon anodes produced by sintering”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:3 (2020),  310–318  mathnet  elib; Semiconductors, 54:3 (2020), 383–391 6
5. E. V. Astrova, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, V. P. Ulin, M. V. Baidakova, V. N. Nevedomskiy, A. V. Nashchekin, “The effect of thermal treatment on properties of composite silicon–carbon anodes for lithium-ion batteries”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:3 (2020),  14–18  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 114–117 4
2019
6. G. V. Li, E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, A. M. Rumyantsev, S. I. Pavlov, E. V. Beregulin, “Negative electrodes for lithium-ion batteries obtained by photoanodization of solar-grade silicon”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:5 (2019),  711–716  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:5 (2019), 660–665 2
7. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. V. Nashchekin, A. V. Parfeneva, D. A. Lozhkina, M. V. Tomkovich, Yu. A. Kukushkina, “Formation of porous silicon by nanopowder sintering”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  540–549  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539 3
8. G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Photoanodization of $n$-Si in the presence of hydrogen peroxide: voltage dependence”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  119–131  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 114–126 1
9. G. V. Li, E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, “Electrochemical amorphization as a method to increase the rate capability of crystalline silicon anodes for lithium-ion batteries”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:22 (2019),  16–20  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1131–1135 1
10. E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:13 (2019),  29–32  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 7
2018
11. G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Influence of hydrogen peroxide on the photoanodization of $n$-Si in the breakdown mode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1614–1624  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1721–1731 4
12. E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, G. V. Li, S. I. Pavlov, “Formation of macropores in $n$-Si upon anodization in an organic electrolyte”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  414–430  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 394–410 7
2017
13. E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1213–1222  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1164–1173 1
14. E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “High-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1202–1212  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1153–1163 5
15. N. E. Preobrazhenskii, E. V. Astrova, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Anodes for Li-ion batteries based on $p$-Si with self-organized macropores”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  79–88  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 78–87 10
2016
16. E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, G. V. Li, A. V. Nashchekin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, V. V. Zhdanov, “Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  979–986  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 963–969 5
17. E. V. Astrova, G. V. Li, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  279–286  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 276–283 8
1992
18. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, Y. N. Daluda, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “NATURE OF P-LAYER FORMED IN SEMICONDUCTING WAFER INTERFACES UNDER SOLID-PHASE DIRECT SILICON BONDING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:14 (1992),  51–56  mathnet
1991
19. E. V. Astrova, I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, O. M. Ivleva, L. G. Lavrenteva, A. A. Lebedev, I. V. Teterkina, V. V. Chaldyshev, N. A. Chernov, Yu. V. Shmartsev, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
1990
20. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  549–552  mathnet
21. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, I. B. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “HYDROPHILIZATION OF A SURFACE UNDER THE DIRECT SILICON FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  1–4  mathnet
1988
22. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “SUPER HIGH-VOLTAGE SILICOR R-P-TRANSITIONS WITH THE BREAKDOWN PRESSURE HIGHER-THAN-20-KV”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:11 (1988),  972–975  mathnet
1986
23. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “Effect of Deep Levels on Breakdown Voltage of Diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
24. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Semiconductors under Photothermal Emission of Charge Carriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  683–686  mathnet
1985
25. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, B. M. Urunbaev, “Study of Thermal Defects in High-Resistance $n$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
26. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, “Effect of Series Resistance of a Diode on Unsteady Capacitance Measurements of Deep-Level Parameters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1382–1385  mathnet
27. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacitance Measurements of Deep-Impurity Distribution Profile and Surface Concentration in Thin Doped Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1375–1381  mathnet
28. E. V. Astrova, V. M. Gontar, A. A. Lebedev, “Capacitance and Photoelectric Spectroscopy of Thallium Levels in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1273–1276  mathnet
29. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Photoconduction of Selenium-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  919–922  mathnet
30. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in $n$-Si(Cr)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  917–919  mathnet
31. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Energy Levels of Selenium in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  597–600  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024