Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Shastin, Valerii Nikolaevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 31
Scientific articles: 31

Number of views:
This page:181
Abstract pages:2682
Full texts:848
References:219
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person90717
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “The mechanism of stimulated Raman scattering of light in silicon doped with helium-like donors”, Kvantovaya Elektronika, 53:5 (2023),  401–405  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021]
2022
2. R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:3 (2022),  139–145  mathnet; JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 1
2021
3. A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Quantitative analysis of valley–orbit coupling in germanium doped with group-V donors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  901–907  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 879–884
4. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Intervalley relaxation processes of shallow donor states in germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  807–812  mathnet  elib; Semiconductors, 55:10 (2021), 799–803
2020
5. K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1145–1149  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 1
6. A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. N. Shastin, “Electronic states of group V donors in germanium: variational calculation taking into account the short-range potential”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  938–944  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133 1
7. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Influence of uniaxial stress along [110] direction on relaxation of arsenic shallow donor states in germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  918–921  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1108–1111
8. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  816–821  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 1
9. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the possibility of Ramsey interference in germanium doped with shallow impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  807–811  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 961–965
2019
10. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 110:10 (2019),  677–682  mathnet  elib; JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682  isi  scopus 13
11. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow antimony donors in strained germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1372–1377  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1334–1339 3
12. R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1285–1288  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
13. V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1263–1266  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 8
2018
14. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow arsenic donors in stressed germanium. Population inversion under optical excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1469–1476  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1573–1580 11
2017
15. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 106:9 (2017),  555–560  mathnet  elib; JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575  isi  scopus 15
2016
16. K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1701–1705  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
17. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1479–1483  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462
18. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:20 (2016),  18–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
2015
19. K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Kvantovaya Elektronika, 45:2 (2015),  113–120  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120  isi  scopus] 6
20. N. A. Bekin, V. N. Shastin, “Stimulated emission on impurity – band optical transitions in semiconductors”, Kvantovaya Elektronika, 45:2 (2015),  105–112  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:2 (2015), 105–112  isi  scopus] 1
2014
21. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:12 (2014),  876–880  mathnet  elib; JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775  isi  elib  scopus 6
1993
22. A. V. Murav'ev, I. M. Nefedov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, “Tunable narrowband laser that operates on interband transitions of hot holes in germanium”, Kvantovaya Elektronika, 20:2 (1993),  142–148  mathnet [Quantum Electron., 23:2 (1993), 119–124  isi] 27
1990
23. S. V. Demikhovskii, A. V. Murav'ev, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, “Перестройка спектра излучения лазера на $p$-Ge при одноосной деформации”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2151–2154  mathnet
24. G. M. Genkin, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, V. N. Shastin, “Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1616–1617  mathnet
1989
25. A. V. Murav'ev, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, V. N. Shastin, “Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок $p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1728–1736  mathnet
1987
26. Yu. A. Mityagin, A. V. Murav'ev, V. N. Murzin, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, S. A. Stoklitskiĭ, I. E. Trofimov, A. P. Chebotarev, V. N. Shastin, “FINE-STRUCTURE OF A SPECTRUM OF STIMULATED LONG-WAVE IR RADIATION OF RHO-GE IN STRONG E AND H FIELDS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:9 (1987),  1847–1850  mathnet
27. A. V. Murav'ev, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, V. N. Shastin, “Directed stimulated laser-emission on $Ge$ hot holes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:2 (1987),  65–68  mathnet
28. A. A. Andronov, Yu. A. Mityagin, A. V. Murav'ev, V. N. Murzin, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, S. A. Stoklitskiĭ, I. E. Trofimov, A. P. Chebotarev, V. N. Shastin, “Long-wavelength infrared laser utilizing hot holes in germanium”, Kvantovaya Elektronika, 14:4 (1987),  702–704  mathnet [Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 442–443  isi] 1
1985
29. A. A. Andronov, V. A. Valov, V. A. Kozlov, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, V. N. Shastin, “Rearranged laser of long-wave infrared-emission on germanium hot holes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:16 (1985),  1000–1004  mathnet
1983
30. G. M. Genkin, Yu. N. Nozdrin, P. S. Razenshteĭn, V. N. Shastin, “Photomagnetization of $\mathrm{CdCr}_{2}\mathrm{Se}_{4}$ magnetic semiconductor”, Fizika Tverdogo Tela, 25:12 (1983),  3706–3708  mathnet
1982
31. A. A. Andronov, V. I. Gavrilenko, O. F. Grishin, V. N. Murzin, Yu. N. Nozdrin, S. A. Stoklitskiĭ, A. P. Chebotarev, V. N. Shastin, “Observation of population inversion of holes in $\mathrm{Ge}$ in crossed $E$ and $H$ fields by the spontaneous far IR emission”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 267:2 (1982),  339–343  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024