Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Kozlovsky, Vitaly V
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 19
Scientific articles: 19

Number of views:
This page:128
Abstract pages:1083
Full texts:361
References:15
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences (1996)
Speciality: 01.04.07 (Physics of condensed states)
Birth date: 9.02.1953
E-mail:
Website: https://physics.spbstu.ru/person/kozlovskiy_vitaliy_vasilevich/
   
Main publications:
  • Modifitsirovanie poluprovodnikov puchkami protonov / V.V. Kozlovskii ; Otv. red. R.Sh. Malkovich. - SPb. : Nauka, 2003. - 267, [1] s. : il.; 22 sm.; ISBN 5-02-024988-2
  • Modifikatsiya svoistv poluprovodnikov oblucheniem legkimi ionami : ucheb. pos. / V. V. Kozlovskii, P. A. Karasev, A. E. Vasilev, A. I. Titov. - SPb. : Politekh-Press, 2018. - 115 s. : il., tabl.; ISBN 978-5-7422-6532-0

https://www.mathnet.ru/eng/person108397
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32400
https://www.webofscience.com/wos/author/record/А-6172-2015
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7004057071

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, V. V. Kozlovsky, “Low-temperature luminescence study of the formation of radiation defects in $4H$-$\mathrm{SiC}$ Schottky diodes”, Fizika Tverdogo Tela, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
2. F. F. Murzakhanov, Yu. A. Uspenskaya, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, V. V. Kozlovsky, V. A. Soltamov, “Creating NV$^-$-defects in silicon carbide 6$H$–SiC by irradiation with high-energy electrons”, Fizika Tverdogo Tela, 66:4 (2024),  537–541  mathnet  elib
3. K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteĭn, I. A. Eliseyev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 120:5 (2024),  367–373  mathnet
4. S. Yu. Davydov, K. S. Davydovskaja, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Temperature dependence of the carrier removal rate in 4H-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:9 (2024),  482–484  mathnet  elib
5. A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteĭn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:1 (2024),  49–52  mathnet  elib; Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435
2020
6. V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
7. A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 6
8. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteĭn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
9. O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 6
10. V. A. Dobrov, V. V. Kozlovsky, A. V. Mescheryakov, V. G. Usychenko, A. S. Chernova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Effect of electron irradiation with an energy of 0.9 MeV on the I–V characteristics and low-frequency noise in 4$H$-SiC pin diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  555–561  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551 3
2018
11. A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 5
12. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
13. V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
14. V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
2017
15. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
16. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
17. A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 7
2016
18. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
1985
19. V. N. Lomasov, V. V. Kozlovsky, N. V. Marutshak, “DIFFUSION OF THE SUBSTITUTION IMPURITY IN THE ION-IRRADIATED CRYSTAL”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2175–2178  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2025