Образец цитирования:
T. Инн, A. Торнтон, И. E. Ицкевич, П. Х. Бетон, П. Мартин, П. Мориарти, A. Ногаре, П. C. Мэйн, Л. Ивс, М. Хенини, E. Мюллер, “InAs квантовая точка в роли квантового микроскопа для исследования двумерного электронного газа”, УФН, 168:2 (1998), 132–134; Phys. Usp., 41:2 (1998), 122–125
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Влияние мощности излучения на модификацию осцилляций фототока в однобарьерных p−i−n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 113:9 (2021), 605–611; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Effect of the radiation power on the modification of oscillations of the photocurrent in single-barrier p−i−n GaAs/AlAs/GaAs heterostructures with InAs quantum dots”, JETP Letters, 113:9 (2021), 586–591
Korsch A.R., Ebler C., Nguyen G.N., Scholz S., Wieck A.D., Ludwig A., “Electron Tunneling Dynamics Between Two-Dimensional and Zero-Dimensional Quantum Systems: Contributions of Momentum Matching, Higher Subbands, and Phonon-Assisted Processes”, Phys. Rev. B, 102:3 (2020), 035413
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, М. В. Григорьев, О. Макаровский, М. Алхазми, С. В. Морозов, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Туннелирование в графен/h-BN/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов h-BN и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена”, Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019), 492–499; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Mahal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Tunneling in graphene/h-BN/graphene heterostructures through zero-dimensional levels of defects in h-BN and their use as probes to measure the density of states of graphene”, JETP Letters, 109:7 (2019), 482–489
Fu Y., Hellstrom S., Agren H., “Nonlinear Optical Properties of Quantum Dots: Excitons in Nanostructures”, J. Nonlinear Opt. Phys. Mater., 18:2 (2009), 195–226
Konig P., Schmidt T., Haug R., “Spin Effects in the Local Density of States of Gaas”, Europhys. Lett., 54:4 (2001), 495–501
Belyaev A., Stoddart S., Martin P., Main P., Eaves L., Henini M., “Positively Charged Defects Associated with Self-Assembled Quantum Dot Formation”, Appl. Phys. Lett., 76:24 (2000), 3570–3572