|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках
В. Д. Кулаковскийa, М. Бауэр, M. Михель, А. Форхел, T. Гутброд, Ф. Фаллер a Институт физики твердого тела РАН
Поступила: 1 января 1998 г.
Образец цитирования:
В. Д. Кулаковский, М. Бауэр, M. Михель, А. Форхел, T. Гутброд, Ф. Фаллер, “Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках”, УФН, 168:2 (1998), 123–127; Phys. Usp., 41:2 (1998), 115–118
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1419 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v168/i2/p123
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 149 | PDF полного текста: | 49 | Первая страница: | 1 |
|