|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Стохастическая модель роста нановискеров методом молекулярно-лучевой эпитаксии
К. К. Сабельфельд, Е. Г. Каблукова Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения Российской академии наук,
просп. Акад. М.А. Лаврентьева, 6, Новосибирск, 630090
Аннотация:
В работе предложена стохастическая модель роста нановискеров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе вероятностных механизмов поверхностной диффузии, взаимного затенения, перерассеяния адатомов и вероятности выживания. На основе данной модели построен алгоритм прямого моделирования, позволивший численно исследовать кинетику роста нановискеров с начального распределения высот от десятков нанометров до высот порядка нескольких тысяч нанометров, при этом временно́й диапазон соответствует экспериментальному выращиванию нановискеров вплоть до 3–4 часов. В данной работе нами сформулировано утверждение, получившее подтверждение в расчетах: при определенных условиях, вполне реализуемых в реальных экспериментах, распределение по высотам сужается, т.е. в ансамбле нановискеров высоты со временем все более выравниваются. Для этого необходимо, чтобы начальное распределение по радиусам было узким, а плотность заполнения была не очень высокой.
Ключевые слова:
нановискеры, адатомы, диффузия по поверхности, вероятность выживания, многократное рассеяние, устойчивое распределение по высотам.
Статья поступила: 24.06.2016 Переработанный вариант: 24.10.2016
Образец цитирования:
К. К. Сабельфельд, Е. Г. Каблукова, “Стохастическая модель роста нановискеров методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Сиб. журн. вычисл. матем., 20:2 (2017), 181–199; Num. Anal. Appl., 10:2 (2017), 149–163
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/sjvm645 https://www.mathnet.ru/rus/sjvm/v20/i2/p181
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 168 | PDF полного текста: | 36 | Список литературы: | 25 | Первая страница: | 13 |
|