Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 110–117
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45328.8545 (Mi phts5950) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии

А. М. Алексеевab, A. Ал-Афеефc, Г. Д. Хедлиd, С. С. Харинцевe, А. Е. Ефимовf, А. Т. Едрисовa, Н. А. Дюжевb, И. Д. Самуэльd

a "Национальная лаборатория Астана", Назарбаев Университет, Астана, Казахстан
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Университет г. Глазго, Глазго, Великобритания
d Университет г. Сент-Эндрюс, Шотландия, Великобритания
e Институт физики Казанского федерального университета
f ФНЦ трансплантологии и искусственных органов им. В. И. Шумакова, Москва, Россия
PDF полного текста (1359 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45328.8545
Аннотация: В работе описан и применен способ визуализации внутренней структуры фотоактивных слоев полимерных солнечных батарей методами атомно-силовой микроскопии, основанный на использовании ультрамикротома для получения срезов фотоактивного слоя. Данный метод позволяет использовать преимущества атомно-силовой микроскопии при изучении структуры в объеме мягких образцов, такие как высокий контраст изображений и способность измерять различные свойства поверхности с нанометровым разрешением. Описанным методом исследованы образцы фотоактивного слоя полимерного солнечного элемента на основе смеси производной тиофена PTB7 и производной фуллерена PC$_{71}$BM. Обнаружены новые детали внутренней структуры данной смеси, позволяющие сделать дополнительные выводы о влиянии морфологии на эффективность органических солнечных элементов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Республики Казахстан 4360/GF4
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0188
Российский фонд фундаментальных исследований 15-42-02339
Работа выполнена при поддержке МОН Республики Казахстан (4360/GF4, программа НУ-Беркли 0115РК03029) и Министерства образования и науки РФ, ГК № 14.578.21.0188 (Уникальный идентификатор соглашения RFMEFI57816X0188). Исследование С.С. Харинцевым выполнено при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований № 15-42-02339.
Поступила в редакцию: 09.02.2017
Принята в печать: 21.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 105–111
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Алексеев, A. Ал-Афееф, Г. Д. Хедли, С. С. Харинцев, А. Е. Ефимов, А. Т. Едрисов, Н. А. Дюжев, И. Д. Самуэль, “Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 110–117; Semiconductors, 52:1 (2018), 105–111
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleAl-Hed18}
\by А.~М.~Алексеев, A.~Ал-Афееф, Г.~Д.~Хедли, С.~С.~Харинцев, А.~Е.~Ефимов, А.~Т.~Едрисов, Н.~А.~Дюжев, И.~Д.~Самуэль
\paper Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 110--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5950}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45328.8545}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982796}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 105--111
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010025}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5950
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p110
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024