Аннотация:
Сконструированы и исследованы новые типы двухконтактных тандемных солнечных элементов на основе DSC/c-Si, в которых тонкопленочный солнечный элемент на основе сенсибилизированного красителем мезоскопического слоя диоксида титана (DSC) был соединен с солнечным элементом на основе кристаллического кремния (c-Si) по параллельной схеме. Измерены оптические и фотоэлектрические параметры отдельных элементов и тандемных элементов DSC/c-Si на их основе. Показано, что максимальное значение кпд фотопреобразования для тандемного солнечного элемента DSC/c-Si в условиях стандартного освещения AM1.5G (100 мВт/см2) было достигнуто при использовании в DSC фотоэлектрода на основе диоксида титана толщиной 3.5 мкм и составило 14.7%.
Образец цитирования:
А. Б. Никольская, М. Ф. Вильданова, С. С. Козлов, О. И. Шевалеевский, “Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 93–97; Semiconductors, 52:1 (2018), 88–92
\RBibitem{NikVilKoz18}
\by А.~Б.~Никольская, М.~Ф.~Вильданова, С.~С.~Козлов, О.~И.~Шевалеевский
\paper Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/$c$-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 93--97
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5947}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45325.8591}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982792}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 88--92
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010165}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5947
https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p93
Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
Masafumi Yamaguchi, Frank Dimroth, John F. Geisz, Nicholas J. Ekins-Daukes, “Multi-junction solar cells paving the way for super high-efficiency”, Journal of Applied Physics, 129:24 (2021)
Osbel Almora, Derya Baran, Guillermo C. Bazan, Christian Berger, Carlos I. Cabrera, Kylie R. Catchpole, Sule Erten‐Ela, Fei Guo, Jens Hauch, Anita W. Y. Ho‐Baillie, T. Jesper Jacobsson, Rene A. J. Janssen, Thomas Kirchartz, Nikos Kopidakis, Yongfang Li, Maria A. Loi, Richard R. Lunt, Xavier Mathew, Michael D. McGehee, Jie Min, David B. Mitzi, Mohammad K. Nazeeruddin, Jenny Nelson, Ana F. Nogueira, Ulrich W. Paetzold, Nam‐Gyu Park, Barry P. Rand, Uwe Rau, Henry J. Snaith, Eva Unger, Lídice Vaillant‐Roca, Hin‐Lap Yip, Christoph J. Brabec, “Device Performance of Emerging Photovoltaic Materials (Version 2)”, Advanced Energy Materials, 11:48 (2021)
И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, П. А. Кузнецов, “Влияние граничных условий на высокочастотную электропроводность тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 846–854; I. A. Kuznetsova, O. V. Savenko, P. A. Kuznetsov, “The influence of boundary conditions on the high-frequency conductivity of a thin conductive layer placed in a longitudinal magnetic field”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1039–1046
П. А. Кузнецов, О. В. Савенко, А. А. Юшканов, “Высокочастотный магнетотранспорт в тонком металлическом слое с варьируемыми коэффициентами зеркальности границ”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2002–2012; P. A. Kuznetsov, O. V. Savenko, A. A. Yushkanov, “High-frequency magnetotransport in a thin metal layer with variable specularity coefficients of its boundaries”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 1912–1921
А. Б. Никольская, С. С. Козлов, М. Ф. Вильданова, О. И. Шевалеевский, “Эффективность преобразования перовскитных и сенсибилизированных красителем солнечных элементов при различных интенсивностях солнечного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 550–554; A. B. Nikolskaia, S. S. Kozlov, M. F. Vildanova, O. I. Shevaleevskii, “Power conversion efficiencies of perovskite and dye-sensitized solar cells under various solar radiation intensities”, Semiconductors, 53:4 (2019), 540–544
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: