Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/$c$-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана

Сконструированы и исследованы новые типы двухконтактных тандемных солнечных элементов на основе DSC/$c$-Si, в которых тонкопленочный солнечный элемент на основе сенсибилизированного красителем мезоскопического слоя диоксида титана (DSC) был соединен с солнечным элементом на основе кристаллического кремния ($c$-Si) по параллельной схеме. Измерены оптические и фотоэлектрические параметры отдельных элементов и тандемных элементов DSC/$c$-Si на их основе. Показано, что максимальное значение кпд фотопреобразования для тандемного солнечного элемента DSC/$c$-Si в условиях стандартного освещения AM1.5G (100 мВт/см$^{2}$) было достигнуто при использовании в DSC фотоэлектрода на основе диоксида титана толщиной 3.5 мкм и составило 14.7%.