|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Образец фосфида индия InP, подвергнутый процедуре порообразования и затем легированный атомами S, исследован методами рентгеновской дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУРР) (при Cu$K_{\alpha1}$-излучении). Исходя из данных рентгеновской дифракции, показано, что образец состоит из когерентных (однонаправленных) однородных компонент. С помощью точечного детектора в режиме аномального прохождения по Борману получен ряд кривых малоуглового рассеяния рентгеновских лучей при положениях образца, варьируемых азимутальными поворотами. На основе зарегистрированных данных смоделирована 2D-картина малоуглового рассеяния рентгеновских лучей для исследуемого образца, которая позволила определить трансляционную симметрию кластеров и, следовательно, присутствие сверхструктуры. Определены межплоскостные расстояния в сверхструктуре в направлениях (110) и (1$\bar1$0) относительно решетки InP как $\sim$260 и 450 нм соответственно. Симметрия сверхструктуры определена как $C_{2v}$ в плоскости решетки образца (001).
Поступила в редакцию: 23.05.2017 Принята в печать: 24.05.2017
Образец цитирования:
М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников, “Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 89–92; Semiconductors, 52:1 (2018), 84–87
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5946 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p89
|
|