Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 89–92
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45324.8628
(Mi phts5946)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами

М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Образец фосфида индия InP, подвергнутый процедуре порообразования и затем легированный атомами S, исследован методами рентгеновской дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУРР) (при Cu$K_{\alpha1}$-излучении). Исходя из данных рентгеновской дифракции, показано, что образец состоит из когерентных (однонаправленных) однородных компонент. С помощью точечного детектора в режиме аномального прохождения по Борману получен ряд кривых малоуглового рассеяния рентгеновских лучей при положениях образца, варьируемых азимутальными поворотами. На основе зарегистрированных данных смоделирована 2D-картина малоуглового рассеяния рентгеновских лучей для исследуемого образца, которая позволила определить трансляционную симметрию кластеров и, следовательно, присутствие сверхструктуры. Определены межплоскостные расстояния в сверхструктуре в направлениях (110) и (1$\bar1$0) относительно решетки InP как $\sim$260 и 450 нм соответственно. Симметрия сверхструктуры определена как $C_{2v}$ в плоскости решетки образца (001).
Поступила в редакцию: 23.05.2017
Принята в печать: 24.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 84–87
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников, “Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 89–92; Semiconductors, 52:1 (2018), 84–87
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BoiShaKar18}
\by М.~Е.~Бойко, М.~Д.~Шарков, Л.~Б.~Карлина, А.~М.~Бойко, С.~Г.~Конников
\paper Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 89--92
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5946}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45324.8628}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982791}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 84--87
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010074}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5946
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p89
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024