Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 272–275
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45455.8638
(Mi phts5928)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O

А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, В. А. Михалевский

Институт проблем лазерных и информационных технологий – филиал ФНИЦ "Кристаллогр­афия и фотоника" РАН, Шатура, Россия
Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения синтезированы тонкие пленки Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O в диапазоне концентраций кадмия от 0 до 35 ат% на подложках сапфира $c$-среза. Достигнут рекордный предел растворимости Cd 30 ат% в пленках Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O со структурой вюрцита. В низкотемпературных спектрах фотолюминесценции (при 10 K) пленок Cd$_{0.15}$Zn$_{0.85}$O и Cd$_{0.3}$Zn$_{0.7}$O помимо экситонного наблюдались дополнительные пики, природой которых является неоднородное распределение кадмия в образцах. Мы наблюдали немонотонную ($S$-образную) температурную зависимость спектрального положения экситонного пика фотолюминесценции пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O, связанную с эффектом локализации носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-07-03331
15-29-01171
15-07-03580
16-29-05385
16-07-00842
17-07-00615
Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ № 15-07-03331, 15-29-01171, 15-07-03580, 16-29-05385, 16-07-00842, 17-07-00615.
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 260–263
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, В. А. Михалевский, “Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 272–275; Semiconductors, 52:2 (2018), 260–263
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LotNovPar18}
\by А.~А.~Лотин, О.~А.~Новодворский, Л.~С.~Паршина, О.~Д.~Храмова, Е.~А.~Черебыло, В.~А.~Михалевский
\paper Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 272--275
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5928}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45455.8638}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739673}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 260--263
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020069}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5928
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p272
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024