|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Люминесцентные свойства тонких пленок CdxZn1−xO
А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, В. А. Михалевский Институт проблем лазерных и информационных технологий – филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Шатура, Россия
Аннотация:
Методом импульсного лазерного осаждения синтезированы тонкие пленки CdxZn1−xO в диапазоне концентраций кадмия от 0 до 35 ат% на подложках сапфира c-среза. Достигнут рекордный предел растворимости Cd 30 ат% в пленках CdxZn1−xO со структурой вюрцита. В низкотемпературных спектрах фотолюминесценции (при 10 K) пленок Cd0.15Zn0.85O и Cd0.3Zn0.7O помимо экситонного наблюдались дополнительные пики, природой которых является неоднородное распределение кадмия в образцах. Мы наблюдали немонотонную (S-образную) температурную зависимость спектрального положения экситонного пика фотолюминесценции пленок CdxZn1−xO, связанную с эффектом локализации носителей заряда.
Поступила в редакцию: 11.05.2017 Принята в печать: 22.05.2017
Образец цитирования:
А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, В. А. Михалевский, “Люминесцентные свойства тонких пленок CdxZn1−xO”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 272–275; Semiconductors, 52:2 (2018), 260–263
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5928 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p272
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 16 |
|