Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 266–271
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45454.8546 (Mi phts5927) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, Л. А. Павловаa, О. В. Феклисоваb, Р. В. Пресняковa

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
PDF полного текста (743 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45454.8546
Аннотация: Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда $(\tau)$ в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения $\tau$, обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровключения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-35-00140-мол_а
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 16-35-00140-мол_а.
Поступила в редакцию: 09.02.2017
Принята в печать: 16.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 254–259
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020124
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, О. В. Феклисова, Р. В. Пресняков, “Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 266–271; Semiconductors, 52:2 (2018), 254–259
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PesYakNep18}
\by С.~М.~Пещерова, Е.~Б.~Якимов, А.~И.~Непомнящих, Л.~А.~Павлова, О.~В.~Феклисова, Р.~В.~Пресняков
\paper Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 266--271
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5927}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45454.8546}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739672}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 254--259
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020124}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5927
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p266
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024