Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 276–279
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45456.8529 (Mi phts5929) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние добавок кремния на свойства монокристаллов германия для инфракрасной оптики

А. Ф. Шиманскийa, Т. О. Павлюкb, С. А. Копытковаb, Р. А. Филатовa, А. Н. Городищеваc

a Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
b Акционерное общество "Германий", Красноярск, Россия
c Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева
PDF полного текста (363 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45456.8529
Аннотация: Выращены однородные монокристаллы твердых растворов Ge–Si с содержанием кремния от 0.2 до 0.8 ат%, легированные сурьмой. Методом инфракрасной фурье-спектроскопии в интервале температуры от 25 до 60$^\circ$С на длине волны 10.6 мкм исследовано оптическое поглощение монокристаллов с удельным электрическим сопротивлением 2–3 Ом $\cdot$ см. Установлено, что при введении кремния в Ge возрастает температурная стабильность оптических свойств кристаллов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-43-240719
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности в рамках научного проекта № 16-43-240719.
Поступила в редакцию: 13.03.2017
Принята в печать: 15.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 264–267
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Шиманский, Т. О. Павлюк, С. А. Копыткова, Р. А. Филатов, А. Н. Городищева, “Влияние добавок кремния на свойства монокристаллов германия для инфракрасной оптики”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 276–279; Semiconductors, 52:2 (2018), 264–267
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiPavKop18}
\by А.~Ф.~Шиманский, Т.~О.~Павлюк, С.~А.~Копыткова, Р.~А.~Филатов, А.~Н.~Городищева
\paper Влияние добавок кремния на свойства монокристаллов германия для инфракрасной оптики
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 276--279
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5929}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45456.8529}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739674}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 264--267
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5929
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p276
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024