Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах

Предложена конструкция полупроводникового лазера, в котором за счет использования парных асимметричных барьеров, прилегающих к активной области, подавляется паразитная волноводная рекомбинация. Парные асимметричные барьеры блокируют нежелательный транспорт носителей заряда одного типа, не препятствуя распространению носителей другого типа. Спейсер, разделяющий парные асимметричные барьеры, может служить для компенсации вносимых ими упругих напряжений, а также управления энергетическим спектром носителей заряда и соответственно коэффициентом пропускания. На примере лазера с волноводными слоями Al$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As показано, что за счет использования конструкции парных асимметричных барьеров нежелательный транспорт электронов может быть подавлен в 4 раза в сравнении со случаем использования одиночного асимметричного барьера.