Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 888–895
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49827.19
(Mi phts5166)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K

А. А. Андронов, В. И. Позднякова

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Дана интерпретация недавних наблюдений, выполненных группой T. Otsuji, Sendai, перехода при температуре $T$ = 300 K от поглощения к усилению при прохождении терагерцового излучения через сэндвичи $\langle$гексагональный нитрид бора$\rangle$-графен с множественными затворами на поверхности при росте электрического поля в графене. Показано, что эти эффекты связаны с дисперсией и отрицательной проводимостью вблизи пролетной частоты электронов в импульсном пространстве при стриминге (анизотропном распределении) в графене в сильном электрическом поле. На основе этих данных предложен универсальный перестраиваемый терагерцовый генератор – сэндвич с графеном, к которому приложено напряжение, с пластиной высокоомного кремния (выполняющего роль резонатора) на сэндвиче. Этот терагерцовый генератор является полным аналогом СВЧ генератора, осуществленного на кристалле InP группой Л.Е. Воробьева, Санкт-Петербург.
Ключевые слова: ТГц излучение, графен, стриминг электронов, отрицательная проводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0021-С-01
Работа выполнена в рамках государственного контракта ИФМ РАН № 0035-2019-0021-С-01.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1078–1085
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262009002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Андронов, В. И. Позднякова, “Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 888–895; Semiconductors, 54:9 (2020), 1078–1085
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndPoz20}
\by А.~А.~Андронов, В.~И.~Позднякова
\paper Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 888--895
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5166}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49827.19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154194}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1078--1085
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262009002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5166
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p888
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024