|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K
А. А. Андронов, В. И. Позднякова Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Дана интерпретация недавних наблюдений, выполненных группой T. Otsuji, Sendai, перехода при температуре $T$ = 300 K от поглощения к усилению при прохождении терагерцового излучения через сэндвичи $\langle$гексагональный нитрид бора$\rangle$-графен с множественными затворами на поверхности при росте электрического поля в графене. Показано, что эти эффекты связаны с дисперсией и отрицательной проводимостью вблизи пролетной частоты электронов в импульсном пространстве при стриминге (анизотропном распределении) в графене в сильном электрическом поле. На основе этих данных предложен универсальный перестраиваемый терагерцовый генератор – сэндвич с графеном, к которому приложено напряжение, с пластиной высокоомного кремния (выполняющего роль резонатора) на сэндвиче. Этот терагерцовый генератор является полным аналогом СВЧ генератора, осуществленного на кристалле InP группой Л.Е. Воробьева, Санкт-Петербург.
Ключевые слова:
ТГц излучение, графен, стриминг электронов, отрицательная проводимость.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
А. А. Андронов, В. И. Позднякова, “Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 888–895; Semiconductors, 54:9 (2020), 1078–1085
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5166 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p888
|
|